発行物（査読有り）

1: T. Okumura and K. Shiojima, "Scanning Internal-Photoemission Microscopy: New Mapping Technique to Characterize Electrical Inhomogeneity of Metal-Semiconductor Interface", Japanese Journal of Applied Physics, 28, pp. L1108-L1111 (1989).

2: K. Shiojima and T. Okumura, "Mapping Evaluation of Damage Effect on Electrical Properties of GaAs Schottky contacts", Journal of Crystal Growth, 103, pp. 234-242, (1990).

3: 奥村　次徳、塩島　謙次、"走査型内部光電子放出顕微鏡", 表面技術, 42, pp. 215-219 (1991).

4: K. Shiojima and T. Okumura, "Improvement in Spatial Resolution of Infrared Scanning Internal-Photoemission Microscope", Japanese Journal of Applied Physics, 30, pp. 2127-2128 (1991).

5: K. Shiojima, K. Nishimura, T. Aoki and F. Hyuga, "Large Schottky Barriers formed on epitaxial InGaP grown on GaAs", Journal of Applied Physics, 77, pp. 390-392 (1995).

6: K. Shiojima, K. Nishimura and F. Hyuga, "Thermal Stability and Degradation Mechanism of WSiN/InGaP Schottky Diodes", Journal of Vacuum Science and Technology, B14(2), pp. 652-656 (1996).

7: K. Shiojima, K. Nishimura, M. Tokumitsu, T. Nittono, H. Sugawara and F. Hyuga, "Thermally Stable InGaP/GaAs Schottky contacts Using Low N Content Double Layer WSiN", Journal of Vacuum Science and Technology, B14(6), pp. 3543-3549 (1996).

8: K. Shiojima, T. Tsukahara and M. Ishikawa, "Silicon bipolar 2V 2GHz quadrature demodulator without any adjustment", Electronics Letters, 33, No. 9, pp. 771-772, (1997).

9: K. Shiojima, David T. McInturff, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "Electrical characteristics and thermal stability of W, WSiN, and Nb contacts to p- and n-type GaN", Journal of Electronic Materials, 28, pp. 228-233 (1999).

10: K. Shiojima, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "Effect of defect density on the electrical characteristics of n-type GaN Schottky contacts", IOP conference series (compound semiconductors), 162, pp. 781-786 (1998). 

11: K. Shiojima, Tomoya Sugahara, and Shiro Sakai, " Large Schottky barriers for Ni/p-GaN contacts ", Applied Physics. Letters, 74, pp. 1936-1938 (1999).

12: K. Shiojima, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "Effect of defect density on the electrical characteristics of Ni/n-GaN contacts", Journal of Vacuum Science and Technology, B17(5), pp.2030-2033  (1999).

13: K. Shiojima, "Atomic force microscopy and transmission electron microscopy observations of KOH-etched GaN surfaces", Journal of Vacuum Science and Technology, B18(1), pp.3

7-40 (2000).

14: K. Shiojima, N. Shigekawa, and T. Suemitsu, "Improved carrier confinement by a buried p-layer in the AlGaN/GaN HEMT structure", The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers (IEICE) Transactions on Electronics, E83-C, No. 12, pp. 1968 -1970 (2000).

15: K. Shiojima and S. Sakai, "Large Schottky barriers and memory capability for Ni contacts formed on low Mg-doped p-GaN", IPAP Conf. Series 1, pp. 829-832 (2000).

16: K. Shiojima, N. Shigekawa and T. Suemitsu, "Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs with buried p-layers", IPAP Conf. Series 1, pp. 927-930 (2000).

17: K. Shiojima, Tomoya Sugahara, and Shiro Sakai, "Current transport mechanism of p-GaN Schottky contacts ", Applied Physics. Letters, 77, pp. 4353-4355 (2000).

18: K. Shiojima, T. Suemitsu, and M. Ogura, "Correlation between current-voltage characteristics and dislocations for n-GaN Schottky contacts", Applied Physics. Letters, 78 pp. 3636-3638 (2001).

19: N. Shigekawa, K. Shiojima, and T. Seumitsu, "Electroluminescence characterization AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors", Applied Physics. Letters, 79, pp. 1196-1198 (2001).

20: K. Shiojima, S. Sugitani, and S. Sakai, "ICTS measurements for p-GaN Schottky contacts", Applied Surface Science, 190/1-4, pp. 318-321 (2002).

21:招待論文：塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、"埋め込みｐ層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価 ",　電気学会電子情報システム部門誌、平成１４年7月号, pp. 1085-1088。

22: 塩島　謙次,　重川　直輝、末光　哲也、“短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価” 電気学会電子情報システム部門誌、平成１４年8月号, pp. 1240-1245。

23: N. Shigekawa, K. Shiojima, and T. Seumitsu, "Optical study of high-biased AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors", Journal of Applied Physics, 92, pp. 531-535 (2002).

24: K. Shiojima and N. Shigekawa, “Thermal Stability of Sheet Resistance in AlGaN/GaN 2DEG Structure”, physica status solidi, (c) 0 No. 1, pp. 397-400 (2002).

25: K. Shiojima, and T. Suemitsu, " Correlation between current-voltage characteristics and dislocations evaluated with submicrometer Schottky contacts on n-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition", Journal of Vacuum Science and Technology, B21(2), Mar/Apr, pp. 698-705 (2003).

26: N. Shigekawa, K. Onodera, and K. Shiojima, “Device temperature measurement of highly biased AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Jpn. J. Appl. Phys., 42, pp. 2245-2249 (2003).

27: K. Shiojima and N. Shigekawa, “Thermal Stability of Electrical Properties in AlGaN/GaN Heterostructures”, Jpn. J. Appl. Phys., 43, No. 1, pp. 100-105 (2004).

28: K. Shiojima T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa and T. Egawa , “High-power AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistor mixers on SiC substrates”, Electronics Letters, Vol. 40, No. 12, pp. 775-776, (2004).

29: K. Shiojima, S. Sugitani, and N. Shigekawa, “Systematic study of thermal stability of AlGaN/GaN two-dimensional electron gas structure with SiN surface passivation”, IEICE Electronics Express, Vol. 1, No. 7, pp. 160-164, (2004).

30: T. Suemitsu, K. Shiojima, T. Makimura, and N. Shigekawa, “Intrinsic transit delay and effective electron velocity of AlGaN/GaN high electron mobility transistors”, Jpn. J. Appl. Phys., 44, P. L211-L213 (2005).

31: K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa and T. Egawa, “AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers”, physica status solidi, (c) 2 No. 7, pp. 2623-2626 (2005).

32: P. Valizadeh, D. Pavlidis, K. Shiojima, T. Makimura, N. Shigekawa, “Low frequency noise of AlGaN/GaN MODFETs: a comparative study of surface, barrier and heterointerface effects”, Journal of Solid-State Electronics, 49, p.p. 1352-1360 (2005).

33: K. Shiojima, T. Makimura, T. Suemitsu, and N. Shigekawa, “Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate high-electron-mobility transistors on sapphire substrates”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 44, No. 12, p.p. 8435-8440 (2005).

34: N. Shigekawa, K. Nishimura, H. Yokoyama, K. Shiojima, and K. Hokawa, “Reproducibility of velocity dispersion in GaN-based surface acoustic wave filters on (0001) sapphier substrates” IEICE Electronics Express, Vol. 2, No. 19, pp. 495-500, (2005).

35: K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, M. Hiroki, and H. Yokoyama, “Dual-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors with short gate length for high-power mixers”,physica status solidi, (c) 3, No.3, pp. 469-472 (2006).

36: K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, and H. Yokoyama, “Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs”, physica status solidi, (c) 3, No.6, pp. 2360-2363 (2006).

37: K. Shiojima, T . Makimura, T. Kosugi, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki and H. Yokoyama, “AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation”, 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 1331-1334 (2006).

38: Motoi Nagamori, Shuichi Ito, Hiroshi Saito, Kenji Shiojima, Shuhei Yamada, Naoki Shibata, and Masaaki Kuzuhara “Optimum Rapid Thermal Activation for Mg-doped p-type GaN”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 47, No. 4, pp. 2865-2867 (2008).

39: 塩島謙次、重川直輝、“SiN膜によるAlGaN/GaNヘテロ構造の表面保護膜効果”電気学会論文誌、C分冊Vol. 128、No. 6, pp. 896-899（2008）.

40: Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, Kenji Shiojima, “I-V and C-V characteristics of rare-earth-metal/p-GaN Schottky contacts”, physica status solidi (c) 6, No. S2, pp. S856–S859 (2009).

41: Hironari Chikaoka, Yoichi Takakuwa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara, “Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN Heterostructures”, IEICE Trans. Electron., Vol. E92-C, No. 5, pp. 691-695, May 2009.

42: H. Makino, N. Ishikawa, K. Shiojima, M. Kuzuhara” Theoretical Investigation of GaN-Based Diodes with a Recessed Composite Schottky-Barrier Structure”, Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 48, p.p. 04C103-106, April (2009)

43：U.Honda, Y.Yamada, Y.Tokuda, K.Shiojima, “Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies”, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)、vol. 51, No. 7, April, pp. 04DF04-1 04DF04-4 (2012).

44: Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, and Satoru Tanaka, “Electrical Characteristics of Surface-Stoichiometry-Controlled p-GaN Schottky Contacts”, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)、vol. 52, (2013) pp. 01AF05-1 -6. doi:10.7567/JJAP.52.01AF05

45: Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, and Gako Araki, “Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method”, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), vol. 52, (2013) pp. 08JN06-1 -4. doi:10.7567/JJAP.52.08JN06

46: K. Shiojima, T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, and, K. Nomoto “Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts”, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), vol. 52, No. 8 (2013) pp. 08JJ08-1 -4. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.52.08JJ08

47: Toshichika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, and Kenji Shiojima “High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces”, Japanese Journal of Applied Physics (JJAP), vol. 52, No. 11 (2013) pp. 11NH03-1 -4. http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.52.11NH03

48: Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda,

Kazuki Nomoto, Tomoyoshi Mishima, “High-temperature isothermal capacitance transient spectroscopy study on SiN deposition damages for low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes”, Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 268-271 (2014). http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.11.031

49: Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima, Yohei Otoki, Yutaka Tokuda, “A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation”, Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 207-211 (2014). http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.077

50: Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima, “Alternating current operation of low-Mg-doped p-GaN Schottky diodes”, Thin Solid Films, Vol. 557, pp. 258-261 (2014). http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.08.039

51: Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, Tomoyoshi Mishima, “Nondestructive imaging of buried interfaces in SiC and GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Applied Physics Express, Vol. 8, pp. 046502-1- 046502-4 (2015) http://dx.doi.org/10.7567/APEX.8.046502

52: Takeshi Tanaka, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima, “Roles of lightly doped carbon in the drift layers of vertical n-GaN Schottky diode structures on freestanding GaN substrates”, Japanese Journal of Applied Physics 54, pp. 041002-1 -7 (2015).  http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.54.041002

53:  Toshichika Aoki, Sachi Tachibana and Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky contacts”, physica status solidi (b), 252, No. 5, pp. 1031–1037 (2015), DOI 10.1002/pssb.201451590

54: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano and Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts”, physica status solidi (b), 252, No. 5, pp. 1024–1030 (2015) , DOI: 10.1002/pssb.201451581.

55: Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara and Kenji Shiojima, “Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy”, physica status solidi (b), 252, No. 5, pp. 1017–1023 (2015), DOI 10.1002/pssb.201451579.

56: Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka, and Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of N-polar <000-1> p-type GaN Schottky contacts”, Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp. 04EJ09-1 -5 (2016). http://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EJ09

57: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of Au/Ni Schottky diodes on cleaved m-plane surfaces of free-standing n-GaN substrates”, Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp. 04EG06-1 -4 (2016). http://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EG06

58: Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto, Tomoyoshi Mishima, and Tohru Nakamura, “Two-dimensional characterization of ion-implantation damage in GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp. 04EG05-1 -4 (2016). http://doi.org/10.7567/JJAP.55.04EG05

59: Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai, and Kenji Shiojima, “Mapping of Si/SiC p–n heterojunctions using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 55, pp. 04ER15-1 -4 (2016). http://doi.org/10.7567/JJAP.55.04ER15

60: Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima, and Yutaka Tokuda, “Deep-level transient spectroscopy of low-free-carrier-concentration n-GaN layers grown on freestanding GaN substrates: Dependence on carbon compensation ratio”, Japanese Journal of Applied Physics 55, pp. 061101-1-4 (2016).  http://doi.org/10.7567/JJAP.55.061101

61:塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文、“Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価”、エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集（Mate2016）, pp. 2263-2266 (2016).

62: Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato, “Two-dimensional characterization of 3C-SiC layers using scanning internal photoemission microscopy: Mapping of electrical characteristics and crystal quality in domain boundary regions”, Japanese Journal of Applied Physics, 56, pp. 04CR06-1 -4 (2017). https://doi.org/10.7567/JJAP.56.04CR06

63: Kenji Shiojima and Masato Shingo, “Mapping of Au/a-IGZO Schottky contacts by using scanning internal photoemission microscopy”, physica status solidi B, 254, No. 2, p.p. 1600587-1600591 (2017). DOI 10.1002/pssb.201600587

64: Akihisa Terano, Hiroyoshi Imadate, Kenji Shiojima, “Mapping etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy”, Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 70, 1 November 2017, Pages 92-98. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.10.027

65: Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, Kenji Shiojima, “Displacement current of Au/p-diamond Schottky contacts”, Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 70, 1 November 2017, Pages 207-212. 
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.12.012

66: Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, Kenji Shiojima, “Mapping of ion-implanted n-SiC schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 70, 1 November 2017, Pages 86-91. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2016.10.055

67: Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Fumimasa Horikiri, Takeshi Tanaka, and Tomoyoshi Mishma, “Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal photoemission microscopy”, physica status solidi B, 30 November 2017, DOI: 10.1002/pssb.201700480 

68: Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai, “Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces”, Japanese Journal of Applied Physics, 57, pages 02BE04-1 -5 (2018). https://doi.org/10.7567/JJAP.57.02BE04. published online January 15, 2018

69: 柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之、“ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価”、第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集（Mate2018）、Vol.24, pp.159-162, 2018．

70: Kenji Shiojima, Hiroaki Konishi, Hiroyoshi Imadate, Yuya Yamaoka, Kou Matsumoto, and Takashi Egawa, “Defect observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky contacts on Si substrates using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 57, 04FG07-1 -5 (2018) https://doi.org/10.7567/JJAP.57.04FG07, published online February 21, 2018

71: Kenji Shiojima, Naoki Mishina, Naoto Ichikawa, and Masashi Kato, “Observations of inhomogeneity of 3C-SiC layers grown on 6H-SiC substrates by using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 57, 04FR06-1 -4 (2018), https://doi.org/10.7567/JJAP.57.04FR06, published online February 23, 2018

72: Hiroyoshi Imadate, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of n-GaN Schottky contacts on cleaved surfaces of free-standing substrates: Metal work function dependence of Schottky barrier height”, Japanese Journal of Applied Physics, 57, 04FG13-1 -5 (2018), https://doi.org/10.7567/JJAP.57.04FG13, published online March 20, 2018.

73: Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi Fujiwara, “Effect of surface treatment of printed Ag Schottky contacts on n-GaN epitaxial layers using Ag nanoink: Two dimensional characterization by scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 57, 07MA01-1 -5 (2018), published on line June 14, 2018. https://doi.org/10.7567/JJAP.57.07MA01

74: Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama, “Mapping of a Ni/SiNx/n-SiC structure using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 58, SBBC02-1, -6 (2019), published online February 22, 2019, https://doi.org/10.7567/1347-4065/aafd99

75: Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima, “Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage”, Japanese Journal of Applied Physics, 58, SCCD02-1 ~-7 (2019), published online April 16, 2019, https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab0f1a

76: Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa, “Mapping of damage induced by neutral beam etching on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy” Japanese Journal of Applied Physics, 58, SCCD13-1 ~-5 (2019), published online May20, 2019, https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab106d

77: Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, Takashi Shinohe, “Mapping the interfacial reaction of α-Ga2O3 Schottky contacts through scanning internal photoemission microscopy”, Thin Solid Films, 685, 17-25 (2019). Available online 29 May 2019, https://doi.org/10.1016/j.tsf.2019.05.063

78: Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima, “Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates”, Phys. Status Solidi B (2019), 1900561 (5 pages),  Published online: Nov. 19, 2019, DOI: 10.1002/pssb.201900561.

79: Kenji Shiojima, “Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), Nov. 18-20 (2019), Kyoto Univ. Clock Tower Centenninal Hall, Kyoto Japan, pp. 169-172 (2019). ISBN: 978-1-7281-2030-0.

80:  Kenji Shiojima, Masashi Kato, “Mapping of large structural defects in SiC Schottky contacts using internal photoemission microscopy”, Materials Science in Semiconductor Processing, vol. 118, p. 105182 (2020) (12 pages) Available online 23 May 2020, published on Nov. 1, 2020, https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105182.

81: 塩島謙次、“Ni/p-GaNショットキー接触におけるMg濃度依存性”、材料、Jouranal of the Society of Materials Science, Japan), Vol. 69, No. 10, pp. 717-720, Oct. 2020. 公開日　2020/10/20, https://doi.org/10.2472/jsms.69.717

82: 塩島謙次、“界面顕微光応答法によるワイドバンドギャップ材料・電極界面の2次元評価”、 講座（IoT社会の発展を支える半導体技術の新展開）、材料(Jouranal of the Society of Materials Science, Japan), Vol. 69, No. 11, pp. 837-842, Nov. 2020. https://doi.org/10.2472/jsms.69.837

83: Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Mapping of photo-electrochemical etched Ni/GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy—comparison between n- and p-type GaN samples”, Japanese Journal of Applied Physics, 60, SBBD12 (7 pages) (2021). https://doi.org/10.35848/1347-4065/abdf21

84: Kenji Shiojima, Masataka Maeda and Kaori Kurihara, “Mapping of n-GaN Schottky contacts formed on facet-growth substrates using near-ultraviolet scanning internal photoemission microscopy”, Semiconductor Science and Technology, vol. 36, No. 3 (2021) p. 034007 (9pp). , https://doi.org/10.1088/1361-6641/abdd09

85: Kenji Shiojima , Ryo Tanaka , Shinya Takashima, Katsunori Ueno, and Masaharu Edo, “Effects of surface treatment and annealing for Au/Ni/n-GaN Schottky barrier diodes”, Japanese Journal of Applied Physics, 60, 056503 (9 pages) (2021).

https://doi.org/10.35848/1347-4065/abf5ab

86: [Invited] Kenji Shiojima, “Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, ECS Transactions, Vol. 104, No. 4, pp. 69-82 (2021)

10.1149/10404.0069ecst

87: Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Takashi Shinohe, “Uniformity characterization of SiC, GaN, and α-Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 60, 108003 (4 pages) (2021). Brief Note

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac2917

88: Kenji Shiojima, Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, and Tomoyoshi Mishima, “Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---”, Japanese Journal of Applied Physics, 61, SC1059 (11 pages) (2022).

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4c6e

89: Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, and Toshiyuki Tamai, “Estimation of uniformity in Schottky contacts between printed Ni electrode and

n-GaN by scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 61, 0856506 (6 pages) (2022).

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac7bc5

90: 塩島謙次、今林弘毅、三島友義、“へき開した自立n-GaN基板のm面に形成したAu/Niショットキー接触における表面処理の影響”、材料、Jouranal of the Society of Materials Science, Japan), Vol. 71, No. 10, pp. 819-823, Oct. 2022.

https://doi.org/10.2472/jsms.71.819

91: Hiroki Imabayashi, Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Japanese Journal of Applied Physics, 62, SA1012 (7 pages) (2023).
https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac8d6f

92: Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, Tetsu Kachi, “Mapping of ultra-high-pressure annealed n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, Materials Science in Semiconductor Processing　(MSSP), 162, 107536 (8 pages), (2023).
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2023.107536

93: [Invited] Kenji Shiojima, “Characterization of Metal/GaN Schottky Contacts --Review from the Early Days--”, ECS Transactions, Vol. 112, No. 1, pp. 89-107 (2023)
https://doi.org/10.1149/11201.0089ecst

94: Hiroki Imabayashi, Haruto Yoshimura, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Hajime Fujikura, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Structure under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy”, Phys. Status Solidi B, p. 2400033 (7 pages), 2024.

https://doi.org/10.1002/pssb.202400033

95: Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, and Kenji Shiojima, “Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts”, Japanese Journal of Applied Physics, 63, p. 04SP71 (6 pages) (2024).

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad32e0

解説論文

11: 塩島　謙次,　酒井　士郎、“金属/p-GaN電極界面の電流輸送機構の理解”、応用物理技術ノート、2002年3月号pp. 340341。

2：塩島　謙次,“GaN系電子デバイスの現状”, 電気学会論文誌電子情報システム部門誌Ｃ部門、Vol. 122-C, pp. 2-5 (2002)。

3：塩島　謙次,“ワイドギャップ半導体材料の特徴---電子デバイス開発の観点から---”,電気学会論文誌電子情報システム部門誌Ｃ部門、Vol. 122-C, pp. 6-9 (2002)。

4：塩島　謙次,“GaN電子素子特性に結晶欠陥が与える影響”、日本結晶成長学会誌、Vol. 36, No. 3 pp. 214-221 (2009).

国際会議

1: K. Shiojima and T. Okumura, "Mapping Evaluation of Damage Effect on Electrical Properties of GaAs Schottky contacts", DRIP3, in Tokyo, September 1989.

2: K. Shiojima and T. Okumura, "Mapping Evaluation of Inhomogeneity Degraded Au/Pt/Ti Contacts to GaAs" Proc. of IEEE, 29th International Reliability Physics Symposium, in Las Vegas, p. 234, April 1991.

3: K. Shiojima, K. Nishimura, T. Aoki and F. Hyuga, "Thermally Stable Schottky Contact on InGaP/GaAs", Proc. of 184th Electrochemical Society Meeting, State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XIX, in New Orleans, p. 149, October 1993.

4: K. Shiojima, K. Nishimura, M. Tokumitsu, T. Nittono, H. Sugawara and F. Hyuga, "Thermally Stable InGaP/GaAs Schottky contacts Using Low-N Content Double Layered WSiN", Proc. of Electronic Materials Conference, in Virginia, p. A63, June 1995.

5: K. Inoue, Y. Yaname, K. Shiojima, M. Tokumitsu, F. Hyuga and K. Yamasaki, "Improvement of Breakdown Voltage in InGaP/InGaAs/GaAs Heterostructure MESFETs for MMICs", Proc. of IEEE GaAs IC Symposium in San Diego, p. 97, October 1995.

6: T. Tsukahara, K. Shiojima, M. Ishikawa, "A GHz-band IF Si chip-set dielectric root-Nyquist filter for broad band wireless systems", IEEE 1997 Wireless Communications Conference in Colorado, p32, August 1997.

7: K. Shiojima, David T. McInturff, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "Electrical characteristics and thermal stability of W, WSiN, Nb contacts to p- and n-type GaN", 40th Electronics Material Conference (EMC 98), in Virginia, June 1998.

8: K. Shiojima, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "Effect of defect density on the electrical characteristics of Ni/n-GaN contacts", 25th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 98), in Nara, Japan, TuP-38, October 1998.

9: K. Shiojima, Tomoya Sugahara, and Shiro Sakai, " Large Schottky barriers and memory operation for Ni/p-GaN contacts ", 41st Electronics Material Conference (EMC 99), in Santa Barbara, June 1999.

10: K. Shiojima, "Observations of KOH-etched GaN surfaces using atomic force microscopy and transmission electron microscopy", Third International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-III), B3-4, in Karuizawa, Japan, October 1999.

11: K. Shiojima and S. Sakai, "Large Schottky barriers and memory capability for Ni contacts formed on low Mg-doped p-GaN", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), PTE-28, in Nagoya, Japan, September 2000.

12: K. Shiojima, N. Shigekawa and T. Suemitsu "Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs with buried p-layers", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), WM3-2, in Nagoya, Japan, September 2000.

13: K. Shiojima, T. Suemitsu, and M. Ogura, " Correlation between I-V characteristics and dislocations for Au/Ni/n-GaN Schottky contacts ", 43rd Electronics Material Conference (EMC 01), in Indiana, June 2001.

14: K. Shiojima, Suehiro Sugitani, and S. Sakai, "ICTS measurements for p-GaN Schottky contacts ", 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI-8), in Sapporo, Japan, June 2001.

15:(Invited talk) K. Shiojima, “Current transport mechanism  of p-, and n-GaN Schottky contacts”, Frontier Science Research Conferences in La Jolla, CA , Nov. 21 2001.

16:N. Shigekawa, K. Onodera, and K. Shiojima, “Device temperature measurement of high-biased AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, 2002 International Conference on Solid State Devices and Materials, in Nagoya, Sept. 17, 2002.

17: K. Shiojima, N. Shigekawa and T. Suemitsu "Thernal stability of sheet resistance in  AlGaN/GaN 2DEG structure", International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2002), July 22-25 2002, in Aachen Germany.

18: K. Shiojima, and N. Shigekawa, “Improved FET performance by suppression of sheet resistance increase in AlGaN/GaN 2DEG structure”, State-of-the-art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) XXXV in the 202nd Meeting of Electrochemical Society (ECS) in Salt Lake City, Oct. 22 2002.

19: N. Shigekawa, and K. Shiojima, “Correlation between channel temperature and negative resistance in AlGaN/GaN HEMTs”, 29th International Symposium on Compound Semiconductors 2002 (ISCS), October 8, 2002, Lausanne, Switzerland.

20: K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, S. Sugitani, N. Shigekawa, H. Ishikawa and T. Egawa, “AlGaN/GaN dual-gate high electron mobility transistors on SiC substrates for high-power mixers”, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2004), A3.3, in Pittsburgh, USA, July 19, 2004.

21: K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, and H. Yokoyama, “Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs”, 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6), August 30, 2005 in Bremen, Germany. 

22: K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Kosugi, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki and H. Yokoyama, “Dual-gate AlGaN/GaN high electron mobility transistors with short gate length for high-power mixers”, 32nd International Symposium on Compound Semiconductors 2005 (ISCS), September 19, 2005 in Rust, Germany. 

23: K. Shiojima, T. Makimura, T. Maruyama, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki, and H. Yokoyama, “Effect of T-shaped gate structure on RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs”, Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics VI in the 208th Meeting of Electrochemical Society (ECS), October 19, 2005, in L.A., U.S.A.

24: K. Shiojima, T. Makimura, T. Kosugi, T. Suemitsu, N. Shigekawa, M. Hiroki and H. Yokoyama, “AlGaN/GaN Dual-gate MENT mixers for 24-GHz pulse-modulation”, 2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, June 15, 2006 Sam Francisco CA. 

25: K. Shiojima, “Summary of four workshops (Electron device field)”, International Workshops on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006), October 27, 2006, Kyoto.

26: T. Nishida, R. Sakai, K. Shiojima, M. Kuzuhara

“Comparative Study of Multi-Step and Graded Field Plate for AlGaN/GaN-HEMTs”

Abstracts, 7th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)

Kisarazu, Chiba, Japan, pp.83-83, 2007.

27: T. Nishida, R. Sakai, K. Shiojima, M. Kuzuhara

“Optimum Design of Multi-Step Field Plate for AlGaN/GaN Heterojunction FETs”

Dig., 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Osaka, Japan

pp.59-60, 2007.

28: K. Kodama, T. Nishida, K. Shiojima, M. Kuzuhara

“RF Performance Simulation of Double-Heterojunction FETs with an InGaN Channel”

Dig., 2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Osaka, Japan

pp.91-92, 4/26/2007.

29: Motoi Nagamori, Shuichi Ito, Hiroshi Saito, Kenji Shiojima, Shuhei Yamada, Naoki Shibata and Masaaki Kuzuhara, “Optimum Rapid Thermal Activation for Mg-doped p-type GaN” International conference on Solid-State Devices and materials (SSDM), Ibaraki, Tsukuba, 9/20/2007.

30: K. Kodama, T. Nishida, K. Shiojima, and M. Kuzuhara, “Simulation of rf performance for AlInN/InN/AlInN double-heterojunction FETs”, International Conference Nitride Semiconductors-7 (ICNS-7), TP107, 9/17/2007, Las Vegas USA.  

31: Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, and Kenji Shiojima, “Metal work function dependence of Schottky barrier height measured from I-V and C-Vcharacteristics of p-GaN contacts”, International Conference Nitride Semiconductors-7 (ICNS-7), WP114, 9/18/2007, Las Vegas USA.  

32：Yoshihiro Fukushima, Keita Ogisu, Masaaki Kuzuhara, and Kenji Shiojima, “I-V and C-V characteristics of rare earth metal/p-GaN Schottky contacts”, International Workshop on Nitride Semiconductors-2008 (IWN-2008), Tu6-P16, p. 512, 10/8/2008, Montreux, Switzerland.

33: Ryosuke Sakai, Tomotaka Okai, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara,” Simulation of Breakdown Characteristics in Graded Field Plate AlGaN/GaN HEMTs”, International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, SB-5, Osaka, May 2008.

34: Hironari Chikaoka, Youichi Takakuwa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara, “Simulation of tunneling contact resistivity in non-polar AlGaN/GaN heterostructures”, 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices, Session 8B-5, Sapporo, July 2008.

35: Hiroshi Makino, Nobuhiro Ishikawa, Kenji Shiojima, Masaaki Kuzuhara, “Theoretical investigation of GaN-based diodes with a recessed composite Schottky-barrier structure”, 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials, P-6-6, Tsukuba, Sept 2008.

36: N. Kunishio, K. Shiojima, K. Akiyama, Y. Yamada, Y. Tokuda, “Observation of the effect of carbon in defect formation  for MOCVD grown n-GaN on SiC substrates”, International Conference Nitride Semiconductors-8 (ICNS-8), ThP44, Jeju Korea, 22 Oct. 2009. 

37: K. Tanaka, Y. Shimotsuji, S. Tanaka, A. Hashimoto, and K. Shiojima

“Graphene formation on GaN substrates and electrical characteristics of metal/graphene/GaN structure”, Graphene 2011, April 11 2011, Bilbao Spain.

38: K. Shiojima, K. Demise, “Evaluation of Mg-doping-concentration dependence for Ni/p-GaN Schottky contacts”, 9th International Conference Nitride Semiconductors (ICNS-9), PJ3.28, July 13 2011, Glasgow UK. 

39: U.Honda, Y.Yamada, Y.Tokuda, K.Shiojima, “Deep levels in n-GaN Doped with Carbon Studied by Deep Level and Minority Carrier Transient Spectroscopies”, International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), P-6-11, Sept. 26 2011, Nagoya, Japan. 

40: Kenji Shiojima, Toshifumi Takahashi, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Takashi Kajiwara, and Satoru Tanaka, “Electrical characteristics of surface stoichiometry controlled p-GaN Schottky contacts”, 4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2012), P3060B, March 7 2012, Chubu University, Aich Pref., Japan. 

41: Unhi Honda, Tatsunari Shibata, Yujiro Yamada, Yutaka Tokuda,

Kenji Shiojima, Hiroyuki Ueda, Tetsuo Narita, Tsutomu Uesugi, and Tetsu Kach, “Excitation energy dependence of minority carrier transient spectroscopy spectra of n-GaN”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Oct. 18, TuP-PR-47, Sapporo, Japan

42: K. Demise, H. Yokohama, G. Araki, and K. Shiojima, “Evaluation of the initial stage of formation for Ti/Al ohmic contacts by using photoresponse method”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Oct. 15, MoP-ED-14, Sapporo, Japan

43: T. Takahashi, N. Kaneda, T. Mishima, K. Nomoto, and K. Shiojima, “Effect of ICP Etching in p-type GaN Schottky Contacts”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012), Oct. 15, MoP-PR-34, Sapporo, Japan

44: Toshitika Aoki, Hisashi Wakayama, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, Kazuki Nomoto, Kenji Shiojima, “High-temperature ICTS study on ICP etching damages for p-GaN surfaces”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013), P3076B, Jan. 31, 2012, Nagoya Univ., Aichi Pref. Japan.

45: Unhi Honda, Toshiya Matsuura, Hidenari Naito, Yutaka Tokuda, Kenji Shiojima, “Characterization of electron traps in MOCVD p-GaN by minority carrier transient spectroscopy”, 5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (IsPlasma2013), P3065B, Jan. 31, 2012, Nagoya Univ., Aichi Pref. Japan.

46: (Invited) Kenji Shiojima, "Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces", 6th International WorkShop onNew Group IV Semiconductor Nanoelectronics and
JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar “Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" D4, Feb. 23, 2013, Tohoku Univ., Sendai Japan.

47: K. Shiojima, H. Yokohama, and G. Araki, "Initial stage of ohmic formation for Ti/Al contacts on GaN and AlGaN/GaN", 6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration", Poster 21, Feb. 23, 2013, Tohoku Univ., Sendai Japan.

48; H. Yokohama, K. Shiojima, and G. Araki, " MOCVD growth of carbon-doped InGaAs layers using ethyl-base organic materials“, International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2013, Oral TuD1-5, May 21, 2013, Kobe Japan.   

49 Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes”, 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), Oral presentation, June 6 2013, B4-3, Fukoka.

50 Kenji Shiojima, Hisashi Wakayama, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, Kazuki Nomoto, and Tomoyoshi Mishima, “High-Temperature ICTS Study on SiN Deposition Damages for Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes”, 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), Poster presentation, June 4 2013, P2-48, Fukoka.

51 Takeshi Tanaka, Yohei Otoki, Kenji Shiojima, and Yutaka Tokuda, “Systematic Study on Defect Formation and HEMT Operation of Low-Carbon Doped GaN Layers” 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IV), Poster presentation, June 4 2013, P2-22, Fukoka.

52 Kenji Shiojima, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima, “Displacement current in current-voltage characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN interfaces”, 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Poster presentation, Aug. 27, BP2.23, Washington DC, U.S.A.

53 Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki, Naoki Kaneda, and Tomoyoshi Mishima, “Evaluation of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates”, 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10), Oral presentation, Aug. 27, D3.08, Washington DC, U.S.A

54 Yutaka Tokuda, Takeshi Tanaka, Kenji Shiojima and Yohei Otoki, “Characterization of traps in high-resistivity MOCVD GaN doped with carbon”, 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting, Poster presentation, Dec. 2, 2013, T6-02, Boston, U.S.A.

55 Toshichika Aoki, and Kenji Shiojima, “Metal work function dependence of Schottky barrier height by internal photoemission measurements of low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts”, 2013 MRS (Material Research Society) fall meeting, Poster presentation, Dec. 2, 2013, T6-14, Boston, U.S.A.

56 :Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki , “Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates”, 7th International WorkShop on
New Group IV
Semiconductor Nanoelectronics
and
JSPS Core-to-Core Program
Joint Seminar
"Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" O-5, Jan. 28, 2014, Tohoku Univ., Sendai Japan.

57: Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Kenji Shiojima, “Mapping of inhomogeneity and thermal degradation of Au/Ni/n-GaN Schottky diodes using scanning internal photoemission microscopy”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2014, WeEP14, Aug. 27, 2014, Wroclaw, Poland.

58: Toshichika Aoki, Sachi Tachibana and Kenji Shiojima, “Electrical Characteristics of Low-Mg-doped p-AlGaN and p-InGaN Schottky Contacts” TuBP50, Aug. 26, 2014, Wroclaw, Poland.

59: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano, Kenji Shiojima, “Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts”, WeEP23, Aug. 27, 2014, Wroclaw, Poland.

60: (Invited) Kenji Shiojima, " Detail analysis of electrical characteristics of metal/low-Mg-doped p-GaN contacts ", 2nd Intensive Discussion of Growth of Nitride Semiconductors(IDGN-2), Nov. 30, 2014, Tohoku Univ., Sendai Japan.

61: Kenji Shiojima, Shingo Yamamoto, Yuhei Kihara, and Tomoyoshi Mishima, “Non-destructive imaging of buried interfaces of SiC and GaN Schottky diodes by scanning internal photoemission microscopy”, 42nd International Symposium on Compound Semiconducors (ISCS), Tu1E2.4, June 30, 2015, UCSB, Santa Barabara, CA USA. 

62: Toshichika Aoki, Kenji Shiojima, “Temperature dependence of current-voltage characteristics for low-Mg-doped Ni/p-GaN Schottky diodes”, 11th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM) 2015, 8-6, August 25, 2015, Hida Hotel Plaza, Takayama-shi, Gifu, Japan.

63: Toshichika Aoki, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama, Takashi Matsuoka and Kenji Shiojima, “Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts”, International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015), G-1-4 (oral), Sept. 28, 2015, Sapporo convention center, Sapporo Japan.

64: Kenji Shiojima, Shingo Murase, Shingo Yamamoto, Tomoyoshi Mishima and Tohru Nakamura, “2-Dimentional Characterization of Ion-implantation Damage in GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015), PS-6-10 (poster), Sept. 29, 2015, Sapporo convention center, Sapporo Japan.

65: Masato Shingo, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa, Manabu Arai and Kenji Shiojima, “Mapping of Si/SiC Hetero p-n Junctions Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015), PS-14-11 (poster), Sept. 29, 2015, Sapporo convention center, Sapporo Japan.

66: Naoteru Shigekawa, Jianbo Liang, Masato Shingo, Manabu Arai and Kenji Shiojima, “Photoemission Spectroscopy Measurements of p+-Si/n-SiC and n+-Si/n-SiC junctions by Surface Activated Bonding”, International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015), PS-14-12 (poster), Sept. 29, 2015, Sapporo convention center, Sapporo Japan.

67: Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima, “Electrical Characteristics of Au/Ni Schottky Diodes on Cleaved m-plane Surfaces of Free-standing n-GaN Substrates”, International conference on Solid State Devices and Materials 2015 (SSDM2015), M-7-2 (oral), Sept. 30, 2015, Sapporo convention center, Sapporo Japan.

68: Toshichika Aoki, Tokuyuki Teraji, Yasuo Koide, and Kenji Shiojima, “Displacement current of Au/p-type diamond Schottky contacts“, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV), WP3-B-2 (oral), June 8, 2016, Nagoya University, Nagoya, Japan.

69: Hiroyoshi Imadate, Akihisa Terano, and Kenji Shiojima, “Mapping of ICP-Etching Induced Damages on GaN Surfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV), TP3-B-2 (oral), June 9, 2016, Nagoya University, Nagoya, Japan.

70: Kenji Shiojima, Takeshi Tanaka, Tomoyoshi Mishima, and Yutaka Tokuda, “Deep Level Transient Spectroscopy of Low-Carrier Concentration n-GaN Layers Grown on Freestanding GaN Substrates”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV), TP3-B-3 (oral), June 9, 2016, Nagoya University, Nagoya, Japan.

71: Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, and Kenji Shiojima, “Mapping of Ion-Implanted n-SiC Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-IIV), FE-PB-14 (poster), June 10, 2016, Nagoya University, Nagoya, Japan.

72: (Invited) Kenji Shiojima, “Role of C Doping in Low-Carrier n-GaN Epitaxial Layers for High-Power Schottky Diode Development”, A5-2 (oral), July 5, 2016, 2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016), Hakodate Kokusai Hotel, Hakodate, Japan.

73: Hiroyoshi Imadate, Toshichika Aoki, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima, “Temperature Dependence of Current-Voltage of Ni Schottky Diodes on Cleaved m-plane n-GaN Surfaces”, International conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016), N-2-04(oral), Sept. 27, 2016, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan.

74: Kenji Shiojima, Masato Shingo, Naoto Ichikawa, Masashi Kato, ”2-Dimentional Characterization of 3C-SiC Layers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2016 (SSDM2016), N-2-06(oral), Sept. 27, 2016, Tsukuba International Congress Center, Tsukuba, Japan. 

75: Kenji Shiojima, Moe Naganawa, and Tomoyoshi Mishima, “Effect of Surface Treatment in Au/Ni Schottky Diodes Formed on Cleaved m-Plane Surfaces of Free-Standing n-GaN Substrates”, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), PS2. 137 (poster), Oct. 5, 2016, Hilton Orland Lake Buena Vista, Orland, Florida.

76: Kenji Shiojima, Shingo Murase, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima, “Observation of Initial Stage of Degradation in Ni/n-GaN Schottky Diodes Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016), PS2. 137 (poster), Oct. 5, 2016, Hilton Orland Lake Buena Vista, Orland, Florida.

78: K. Shiojima, N. Ichikawa, and M. Kato, “Development of dual-focus scanning internal photoemission microscopy for mapping of both top and rear surfaces of 3C-SiC layers“, Compound Semiconductor Week 2017 (CSW2017), B5.7(oral), May 17, 2017, dbb forum, Berlin, Germany. 

79: N. Shigekawa, S. Shimizu, J. Liang, M. Shingo, K. Shiojima, and M. Arai, “Transport Characteristics of Optically-Excited and Electrically-Injected Minority Electrons Across p-Si/n-SiC Hetero-Interfaces” (oral), in Extended Abstracts of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, Tokyo, Japan, May 15-17, 2017, p. 26

80: K. Shiojima, T. Hashizume, F. Horikiri, T. Tanaka, and T. Mishma, “Mapping of n-GaN Schottky contacts with wavy surface morphology using scanning internal photoemission microscopy”, 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12), Poster presentation, C02.12, July 26, 2017, Strasbroug, France.

81: H. Imadate, T. Mishima, K. Shiojima, ” Electrical Characteristics of n-GaN Schottky Contacts on Cleaved Surfaces of Free-Standing Substrates -- Metal Work-Function Dependence of Schottky Barrier Height --“, International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017), PS-6-04, Sept. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai, Japan.

82: K. Shiojima, N. Mishina, N. Ichikawa, M. Kato, “Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017), PS-14-01, Sept. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai, Japan.

83: K. Shiojima, S. Murase, Y. Watamura, T. Suemitsu, “In-Situ Mapping of Degradation of AlGaN/GaN MIS-HEMTs Using Video-Mode Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017), PS-6-14, Sept. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai, Japan.

84: K. Shiojima, H. Konishi, H. Imadate, Y. Yamaoka, K. Matsumoto, T. Egawa, “Defect Observations of Ni/AlGaN/GaN Schottky Contacts on Si Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2017 (SSDM2017), PS-6-13, Sept. 21, 2017, Sendai International Center, Sendai, Japan.

85: Kenji Shiojima, Tasuku Shigemune, Atsushi Koizumi, Takanori Kojima, Yukiyasu Kashiwagi, Masashi Saitoh, Takahiro Hasegawa, Masaya Chigane, and Yasufumi Fujiwara, “Effect of Surface Treatment in Printed Ag Schottky Contacts on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink”, Advanced Metallization Coference 2017 (ADMETA 2017), 7-4 (Oral), Oct. 20, 2017, Yayoi Auditorium Ichijo Hall, The University of Tokyo, Tokyo, Japan

86: Naoteru Shigekawa, Sae Shimizu, Jianbo Liang, Masato Shingo, Kenji Shiojima, and Manabu Arai, “Transport characteristics of minority electrons across surface-activated-bonding based p-Si/n-4H-SiC heterointerfaces”, 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017), 17GO-17 (Oral), May 17, 2017, The University of Tokyo, Hongo, Japan.

87: Kenji Shiojima, Takanori Hashizume, Masaru Sato, and Mayumi B. Takeyama, “Mapping of Ni/SiNx/n-SiC Structure Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2018 (SSDM2018), PS-3-07, Sept. 13, 2018, University of Tokyo, Hongo, Japan.

88: (Invited) Kenji Shiojima, Hitoshi Kambara, Tokiyoshi Matsuda, and Takashi Shinohe, “Mapping of interfacial reaction of -Ga2O3 Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, 4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, BS2-I3, ID-92, Oct. 15, 2018, Crete, Greece.

89: (Invited) Kenji Shiojima, “Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy”, 4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, BS1-I4, ID-89, Oct. 15, 2018, Crete, Greece.

90: K. Iyoda, J. Ito, T. Yagi, K. Shiojima and Y. Tokuda, “DLTS and MCTS studies of traps in hydrogen implanted and subsequently annealed n-GaN”, IWN 2018, TuP-CR-25 (Poster), Nov. 13, 2018, Kanazawa.

91: Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Tomoyoshi Mishima, “Scanning internal photoemission microscopy measurements of n-GaN Schottky contacts under applying voltage”, IWN 2018, ED-11-6 (Oral), Nov. 15, 2018, Kanazawa.

92: Kenji Shiojima, Tetsuya Suemitsu, Takuya Ozaki, and Seiji Samukawa, “Mapping of neutral-beam etching induced damages on GaN surfaces using scanning internal photoemission microscopy”, IWN 2018, ThP-ED-8 (Poster), Nov. 15, 2018, Kanazawa.

93: (Invited) Kenji Shiojima, “Mapping of metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor interfaces using scanning internal photoemission microscopy”, 4th Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-4), ED-II-1, Nov. 19, 2018, Tohoku Univ., Sendai.

94: Kenji Shiojima, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, and Tomoyoshi Mishima, “Effect of Wafer Off-Angles on Defect Formation in Drift Layers Grown on Freestanding GaN Substrates”, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13), Poster JP02.05, July 9, 2019, Seattle, USA.

95: Kenji Shiojima, Masataka Maeda, and Kaori Kurihara, “Mapping of n-GaN Schottky Contacts Formed on Facet-Growth Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 13), Oral J01.02, July 10, 2019, Seattle, USA.

96: Yutaka Tokuda, Shun Itoh, Kazuya Tamura, Joji Ito, Takahide Yagi, Kenji Shiojima, “Hole traps produced in MOVPE-grown n-GaN by hydrogen implantation”, 18th Conference on Defects-Recognition , Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP XVIII), Oral 7.4-O, Sept. 10, 2019, Berlin Germany.

98: Kenji Shiojima, Yukiyasu Kashiwagi, Atsushi Koizumi, Masashi Saitoh, Toshiyuki Tamai, and Yasufumi Fujiwara, “Uniformity Characterization of Printed Schottky Contacts Formed on n-GaN Epitaxial Layers by Using Ag Nanoink”, International conference on Solid State Devices and Materials 2019 (SSDM2019), oral, J-6-02, Sept. 5, 2019, Nagoya University, Nagoya, Japan.

99: (Invited) Kenji Shiojima, “Mapping of Metal/Semiconductor and Semiconductor/Semiconductor Interfaces Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 2019 IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ), 10-01, Nov. 20, 2019, Kyoto Univ., Kyoto Japan.

100: Ryo MATSUDA, Fumimasa HORIKIRI, Yoshinobu NARITA, Takehiro YOSHIDA, Tomoyoshi MISHIMA, Kenji SHIOJIMA, “Mapping of Photo-Electrochemical Etched Ni/n-GaN Schottkey Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, Material Research Meeting 2019 (MRM2019), D4-11-P03 (poster), Dec. 11, 2019, Yokohama, Japan.

101: Ryo Matsuda, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima, Kenji Shiojima, “Mapping of Photoelectrochemical Etched Ni/GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy -- Comparison between n- and p-type GaN samples --”, International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020), oral, D-2-06, Sept. 28, 2020, on line.

102: Kenji Shiojima, Yuto Kawasumi, Yuto Yasui, Yukiyasu Kashiwagi, Toshiyuki Tamai, “Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed by Using Ni Nanoink”, International conference on Solid State Devices and Materials 2020 (SSDM2020), oral, C-5-02, Sept. 29, 2020, on line.

103 : Kenji Shiojima, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno and Masaharu Edo, “Characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky Contacts with Different Surface Treatments”, 13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applicationa for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2021), oral, 09pD13O, March 9, 2021, on line. 

104: Kenji Shiojima, and Masashi Kato, “Mapping of Schottky Contacts on p-4H-SiC Wafers Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, Compound Semiconductor Week (CSW) 2021, poster, P 23, May 11, 2021, on line.

105: K. Shiojima, R. Matsuda, F. Horikiri, Y. Narita, N. Fukuhara and T. Mishima, “Mapping of Contactless Photoelectrochemical Etched GaN Schottky Contacts Using Scanning Internal Photoemission Microscopy --- Difference in Electrolytes ---”, International conference on Solid State Devices and Materials 2021 (SSDM2021), oral, C-5-05, Sept. 8, 2021, on line, Extended Abstract pp. 169-170.

106: (Invited) Kenji Shiojima, “Two-Dimensional Characterization of Wide-Bandgap Materials and Contact Interfaces by Using Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 240th Electrochemical society (ECS) Meeting, Oral, G02-0920, Oct. 13, 2021, on line.

107: Masahiro Uchida, Yuto Kawasumi, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima, “Two-dimensional characterization on Schottkky contacts on AlGaN / GaN HEMTs by scanning internal phoemission microscopy”, 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022), oral, 08aC06O, March 8, 2022, on line.

108: Yuto Yasui, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Misima, Hiroki Imabayashi, and Kenji Shiojima, “Characterization of peripheries of n-GaN Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy”, 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022), oral, 08aC07O, March 8, 2022, on line.

109: Hiroki Imabayashi, Kenji Shiojima, and Tetsu Kachi, “Mapping of Ultra-High-Pressure Annealed n-GaN Schottky Contacts Using Internal Photoemission Microscopy”, 9th International Symposium on Control of Semicpnductor Interface (ISCSI-IX), oral, WA2-3, Sept 2, 2022, Nagoya Univ. Extended Abstract p. 10.

110: Hiroki Imabayashi, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Noboru Fukuhara, Tomoyoshi Mishima and Kenji Shiojima, “Two-dimensional characterization of the edge structure of Ni/n-GaN Schottky contacts under applied voltage by scanning internal photoemission microscopy”, International conference on Solid State Devices and Materials 2022 (SSDM2022), oral, J-9-02, Sept. 29, 2022, Chiba, Extended Abstract pp. 707-708.

111: Hiroki Imabayashi, Minato Umeda, Kenji Shiojima, Tatsuya Umenishi, Yoriko Tominaga, Mitsuki Yukimune, Fumitaro Ishikawa, Osamu Ueda, “Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers”, Advanced Metallization Conference 2022 31st Asian Session (ADMETA Plus 2022), P-3 (poster), Oct. 13, 2022, Tokyo.

112: Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima, “Photoelectrical Characterization of Heavily-doped p-SiC Schottky Contacts”, International conference on Solid State Devices and Materials 2023 (SSDM2023), oral, G-4-05, Sept. 7, 2023, Nagoya.

113: Hiroki Imabayashi, Haruto Yoshimura, Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita,
Hajime Fujikura, Hiroshi Ohta, Tomoyoshi Mishima, and Kenji Shiojima, “Two-Dimensional Characterization of Au/Ni/Thin Heavily-Mg-Doped p-/n-GaN Schottky Contacts under Applied Voltage by Scanning Internal Photoemission Microscopy”, 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Poster, Nov. 16, 2023, Fukuoka.

国内発表

1: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "界面顕微光応答法", (1988年秋季), 6a-N-3, 応用物理学会学術講演会.

2: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "顕微光応答法によるＳｉショットキーコンタクトのマッピング評価", 電子情報通信学会、シリコン材料デバイス研究会 SDM88-136, Dec. 1988.

3: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "ＧａＡｓＭＩＳ特性に対するプラズマ処理、ａ-Ｓｉ薄層の効果", (1989年春季), 3p-T-5, 応用物理学関係連合講演会.

4: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "ＧａＡｓショットキー接触の不均一性のマッピング評価", (1989年春季), 2p-R-3, 応用物理学関係連合講演会.

5: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "プラズマ処理を施したＧａＡｓＭＩＳ構造のＩＣＴＳ評価", (1989年秋季), 27p-ZA-5, 応用物理学会学術講演会.

6: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "イオン注入によるＧａＡｓ表面損傷のマッピング評価", (1989年秋季), 29a-PB-9, 応用物理学会学術講演会.

7: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "ＧａＡｓへのＳｉイオン注入による損傷の評価", (1990年春季), 30p-D-2, 応用物理学関係連合講演会.

8: 塩島　謙次, 石見芳夫、奥村　次徳, "抵抗加熱蒸着および電子ビーム法の二重蒸着により製作したＧａＡｓショットキーコンタクトの特性", (1990年春季), 30a-PD-20, 応用物理学関係連合講演会.

9: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "ＧａＡｓへのＳｉイオン注入による損傷のアニール効果", (1990年秋季), 27a-ZK-7, 応用物理学会学術講演会.

10: 奥村　次徳、塩島　謙次, "顕微光応答法による埋もれた金属ー半導体界面の２次元評価", (1990年秋季), 26p-M-5, 応用物理学会学術講演会.

11: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＧａＡｓ構造における熱劣化過程の２次元光電評価", 電気学会、電子材料研究会, Nov. 1990.

12: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＧａＡｓショットキー接触における熱劣化過程の評価（１）", (1991年春季), 30a-K-9, 応用物理学関係連合講演会.

13: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＧａＡｓショットキー接触における熱劣化過程の評価（２）", (1991年春季), 30a-K-10, 応用物理学関係連合講演会.

14: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "ＦＩＢ注入におけるストレイビームの影響", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED91-87, Sep. 1991.

15: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極とＧａＡｓとの界面反応のミクロ評価", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED91-88, Sep. 1991.

16: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "集束イオンビーム注入におけるストレイビームの影響", (1991年秋季), 11a-Ze-6, 応用物理学会学術講演会.

17: 塩島　謙次,　奥村　次徳, "Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＧａＡｓショットキー接触における熱劣化過程の評価（３)", (1991年秋季), 11p-H-18, 応用物理学会学術講演会.

18: 西村　一巳, 塩島　謙次, 青木　達夫, 日向　文明、 浅井　和義, "InGaP/GaAs MESFET用WSiNゲート", (1992年秋季), 18a-ZA-6, 応用物理学会学術講演会.

19: 塩島　謙次, 西村　一巳, 青木　達夫, 日向　文明、 浅井　和義, "BHFによるInGaPの表面処理", (1993年春季), 1a-G-4, 応用物理学関係連合講演会.

20: 塩島　謙次, 西村　一巳, 青木　達夫、 日向　文明, "WSiN/InGaP ショットキー接触の熱的安定性の評価", (1993年秋季), 28p-ZM-4, 応用物理学会学術講演会.

21: 塩島　謙次, 西村　一巳、 日向　文明, "イオン注入InGaP/GaAs MESFETの製作", (1994年春季), 30p-V-6, 応用物理学関係連合講演会.

22: 塩島　謙次, 西村　一巳, 日向　文明、　杉谷　末広, "耐熱ゲートInGaP/GaAs MESFETの製作技術", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED93-169, Jan. 1994.

23: 塩島　謙次, 西村　一巳、 日向　文明, "WSiN/GaAs界面反応の微視的評価", (1994年秋季), 20a-V-4, 応用物理学会学術講演会.

24: 塩島　謙次, 西村　一巳, 徳光　雅美, 入戸野　巧, 菅原　裕彦、 日向　文明, "２層構造WSiN電極によるGaAs ショットキー接触の耐熱性の向上", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED94-66, Oct. 1994.

25: 塩島　謙次,　石川　正幸, "低消費電力２Ｖ動作Siバイポーラ直交変調器", 電子情報通信学会春期大会, Mar. 1995.

26: 塩島　謙次, David T. McInturff, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "高融点金属/p-, n-GaN接触の電気的特性と熱的安定性", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED98-95, July 1998.

27: 塩島　謙次, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "欠陥密度の異なるn-GaNに形成したNiショットキー接触の電気的特性", (1998年秋季), 18-a-YC-1, 応用物理学会学術講演会.

28: 塩島　謙次, David T. McInturff, Jerry M. Woodall, Paul A. Grudowski, Christopher J. Eiting and Russ D. Dupuis, "高融点金属/p-, n-GaN接触の電気的特性と熱的安定性", (1998年秋季), 18-a-YC-2; 応用物理学会学術講演会.

29: 塩島　謙次, 菅原　智也, 酒井　士郎, " p形GaNショットキー接触の障壁高さ", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED99-3, April 1999.

30: 塩島　謙次,  "KOHエッチングしたGaNのAFM観察", (1999年春季), 30a-N-6; 応用物理学関係連合講演会.

31: 塩島　謙次, , 菅原　智也, 酒井　士郎, " p形GaNショットキー接触の障壁高さ", (1999年春季), 30p-N-13, 応用物理学関係連合講演会.

32: 塩島　謙次, "GaNショットキー電極の電気的特性、および耐熱性", 電子情報通信学会秋期大会シンポジウム, Sep. 1999.

33: 塩島　謙次, 菅原　智也, 酒井　士郎, " p形GaNショットキー接触のメモリー効果", (1999年秋季), 3p-W-15, 応用物理学会学術講演会.

34: ＜招待講演＞塩島　謙次, 小出　康夫、"Introductory talk -- GaNへの電極形成技術とそのデバイス応用--", (1999年秋季), 1p-W-1, 応用物理学会学術講演会シンポジウム.

35: ＜招待講演＞塩島　謙次, "GaNショットキー電極の電気的特性、および耐熱性の評価", (1999年秋季), 1p-W-5, 応用物理学会学術講演会シンポジウム.

36: 塩島　謙次, " KOHエッチングしたGaNのAFM, およびTEM観察", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED99-202, Oct. 1999.

37: 塩島　謙次, 重川　直輝、" 埋め込みｐ層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製", SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会, Dec. 17, 1999.

38: 塩島　謙次, 重川　直輝、" 埋め込みｐ層を有したAlGaN/GaN HEMT", (2000年春季), 30p-YQ-17, 応用物理学関係連合講演会.

39: 塩島　謙次, 酒井　士郎, "Ni/p形GaNショットキー接触のメモリー効果", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED, July 27, 2000.

40:　塩島　謙次, 末光　哲也、小椋　充将,　"微小GaNショットキー接触のI-V特性--転位が与える影響--", (2000年秋季), 3p-ZQ-4, 応用物理学会学術講演会.

41: 塩島　謙次, 杉谷　末広、酒井　士郎,　"p-GaNショットキー接触の空乏層容量の測定", (2000年秋季), 3p-ZQ-5, 応用物理学会学術講演会.

42: 塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、　"埋め込みｐ層を有したAlGaN/GaN HEMTのＤＣ、及びＲＦ特性 ", 電子情報通信学会秋期大会シンポジウム, Sep. 2000.

43:　塩島　謙次, 末光　哲也、小椋　充将,　"微小GaNショットキー接触によるGaN結晶の評価—転位とI-V特性との相関--", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct. 19, 2000.

44: 塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、　"埋め込みｐ層を有したAlGaN/GaN HEMTのＤＣ、及びＲＦ特性 ", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, ED, Oct. 19, 2000.

45：塩島　謙次,　“GaN結晶の評価とデバイス作製”、電気通信大学共同研究センター第38回研究開発セミナー、Nov. 30, 2000.

46: 塩島謙次, “GaN中の転位がショットキーI-V特性に与える影響”, 第11回高温エレクトロニクス研究会, Feb. 23, 2001.

47: 塩島　謙次, 末光　哲也、小椋　充将,　"微小GaNショットキー接触のI-V特性（２）",　28a-YC-4, (2001年春季), 応用物理学関係連合講演会.

48: 塩島　謙次,　杉谷　末広、酒井　士郎, "p-GaNショットキー接触のICTS測定", 28a-YC-3, (2001年春季), 応用物理学関係連合講演会.

49: 塩島　謙次,　杉谷　末広、酒井　士郎、　"p-GaNショットキー接触のICTS評価", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, June 6, 2001.

50: 塩島　謙次,　杉谷　末広、酒井　士郎, "p-GaNショットキー接触のICTS測定（２）", 13a-ZF-2 (2001年秋季),応用物理学会学術講演会.

51: 塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、　"0.1μｍ級ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製 ", 13a-ZF-11 (2001年秋季),応用物理学会学術講演会.

52:　重川　直輝、塩島　謙次,　末光　哲也、"AlGaN/GaN HEMTのエレクトロルミネッセンス", (2001年秋季),応用物理学会学術講演会.

53:　塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、　"0.1μｍクラスAlGaN/GaN HEMTの作製と評価 ", 平成13年度電気学会 電子・情報・システム部門大会、Sept. 6, 2001.

54:　塩島　謙次,　末光　哲也、重川　直輝、　"短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価 ", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct 11, 2001.

55:　重川　直輝、塩島　謙次,　末光　哲也、"高バイアスAlGaN/GaN HEMTの光学的評価", (2002年春季), 応用物理学関係連合講演会.

56: 塩島　謙次,　重川　直輝、末光　哲也、　"AlGaN/GaN 構造における熱処理によるシート抵抗の変化 ", 29p-YK-13 (2002年春季), 応用物理学関係連合講演会.

57: 重川　直輝、塩島　謙次、"高バイアスAlGaN/GaN HEMTの電子輸送特性", 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, June 14, 2002.

58：＜招待講演＞塩島　謙次,　“半導体電子デバイス---GaN系半導体の結晶評価とデバイス作製技術”、第47回物理若手夏の学校、Aug. 3, 2002.

59: 塩島　謙次, 末光　哲也、“微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価----低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関----“, 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Aug. 30, 2002.

60: 塩島　謙次,　“電子デバイス開発に向けたGaN結晶の評価” 電子情報通信学会秋期大会シンポジウム, Sep. 2002.

61: 塩島　謙次,　重川　直輝、”AlGaN/GaN構造における熱処理によるシート抵抗の変化（2）” (2002年秋季), 応用物理学会学術講演会.

62: 塩島　謙次,　重川　直輝、”AlGaN/GaN構造における熱処理によるシート抵抗の変化（3）” (2002年秋季), 応用物理学会学術講演会.

63: 重川　直輝, 塩島　謙次, ”AlGaN/GaN HEMTの負性抵抗とチャネル温度の相関” (2002年秋季), 応用物理学会学術講演会.

64: 重川　直輝, 塩島　謙次, 鈴木　恭一、”AlGaN/GaNヘテロ構造からの赤外放射” (2002年秋季), 応用物理学会学術講演会.

65: 重川　直輝,　小野寺清光,　塩島　謙次、” 高バイアスAlGaN/GaN HEMTの自己発熱評価”　電気学会電子デバイス研究会、March 7, 2003.

66: 塩島　謙次,　重川　直輝、　杉谷　末広、　" SiN保護膜によるAlGaN/GaN 2DEGシート抵抗の熱的安定化",  (2003年春季), 応用物理学関係連合講演会.

67: 浅野 健太、 石川 博康、 江川 孝志、 神保 孝志、 塩島 謙次,　重川 直輝　"サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造のAlN混晶比依存性",  (2003年春季), 応用物理学関係連合講演会.

68: 塩島　謙次, 重川　直輝、“AlGaN/GaN 2DEG構造におけるシート抵抗の熱的安定性“, 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, May 15, 2003.

69: 塩島　謙次, 重川　直輝、“AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性とHEMT特性との相関“, 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, June 13, 2003.

70: 浅野 健太、 石川 博康、 江川 孝志、 神保 孝志、 塩島 謙次,　重川 直輝　"GaN基板上ホモエピタキシャルGaN結晶の特性評価",  (2003年秋季),応用物理学会学術講演会.

71: ＜招待講演＞　塩島　謙次、　" GaNの結晶性とデバイス特性との相関",  (2003年春季シンポジウム“GaN電子デバイスの進展と実用化への課題” (2003年秋季), 応用物理学会学術講演会.

72: 塩島　謙次, 杉谷　末広、重川　直輝、“AlGaN/GaN 2DEG構造の熱的安定性におけるSiN保護膜の効果“, 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct 3, 2003.

73: ＜招待講演＞　塩島　謙次, “結晶評価、プロセス技術を中心としたGaN電子デバイス開発の現状“,株式会社技術情報協会電子材料セミナー, Nov. 20, 2003.

74: 塩島　謙次,　牧村　隆司、杉谷　末広、重川　直輝、　" AlGaN/GaN HEMT構造におけるSiN保護膜のゲート開口エッチング",  (2004年春季), 応用物理学関係連合講演会.

75: 塩島　謙次,　“AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価” 電子情報通信学会総合大会Ｃ−１０−２０, Mar. 24, 2004.

76: ＜招待講演＞　塩島　謙次、”GaN結晶とHEMT特性との相関”、第２３回電子材料シンポジウムランプセッション、2004年７月７日。

77: ＜招待講演＞　塩島　謙次、　奥村　次徳、" イントロダクトリートーク",  2004年秋季シンポジウム“先達に学ぶ、GaN電子デバイス課題の克服--GaAsを活かせ！イカスGaNへ--” (2004年秋季), 応用物理学会学術講演会.

78: ＜招待講演＞　塩島　謙次、" AlGaN/GaN HEMT基板の比較とDC,RF特性への影響",  2004年秋季シンポジウム“先達に学ぶ、GaN電子デバイス課題の克服--GaAsを活かせ！イカスGaNへ--” (2004年秋季), 応用物理学会学術講演会.

79: 塩島　謙次、牧村　隆司、　小杉　敏彦, 杉谷　末広、重川　直輝、江川　孝志、　石川　博康、" AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー--SiCとサファイア基板との比較--” (2004年秋季), 応用物理学会学術講演会.

80: 末光　哲也、　塩島　謙次、牧村　隆司、重川　直輝、" FET の真性遅延時間の抽出（２）：GaN　HEMT遅延時間の解析” (2004年秋季), 応用物理学会学術講演会.

81: 塩島　謙次、牧村　隆司、　小杉　敏彦, 杉谷　末広、重川　直輝、江川　孝志、　石川　博康、" SiC基板上AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー” (2004年秋季), 電子情報通信学会ソサイエティー大会.

82: 塩島　謙次、牧村　隆司、　小杉　敏彦, 杉谷　末広、重川　直輝、江川　孝志、　石川　博康、" 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー”電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct 22, 2004.

83: ＜招待講演＞　塩島　謙次、" GaN電子デバイスの現状と将来展望",大阪大学大学院工学研究科マテリアル科学専攻21世紀COEプログラム「構造・機能先進デザイン研究拠点の形成」主催セミナー、 2004年12月10日.

84: 廣木 正伸、横山 春喜、渡邉 則之、 杉山 弘樹、 塩島 謙次, 小林 隆、　" AlGaN/GaN HEMT構造の電気的特性に対するアンモニア中アニールの影響",  (2005年春季), 応用物理学関係連合講演会.

85:塩島　謙次、牧村　隆司、末光　哲也、重川　直輝、横山 春喜、廣木 正伸、" AlGaN/GaN HEMT基板の比較とDC,RF特性への影響(2)",   (2005年春季), 応用物理学関係連合講演会.

86: 塩島　謙次、牧村　隆司、小杉　敏彦, 重川　直輝、廣木 正伸、横山 春喜、" AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用” (2005年春季), 電子情報通信学会全国大会.

87: Kenji Shiojima, Takashi Makimura, Takashi Maruyama, Tetsuya Suemitsu, 

Naoteru Shigekawa, Masanobu Hiroki, and Haruki Yokoyama,“Effect of epitaxial layer crystal quality on DC and RF characteristics of AlGaN/GaN short-gate HEMTs”, 第２４回電子材料シンポジウム、2005年7月４日、松山市。

88: 重川　直輝、西村　一巳、横山 春喜、塩島　謙次、宝川　幸司、" ナイトライド系表面弾性波デバイスにおける速度分散” (2005年秋季), 応用物理学会学術講演会.

89: 塩島　謙次、牧村　隆司、末光　哲也、重川　直輝, 廣木　正伸, 横山　春喜、"短ゲートAlGaN/GaN HEMTのRF特性におけるT字ゲート構造の影響” (2005年秋季), 応用物理学会学術講演会.

90: 塩島　謙次、牧村　隆司、小杉　敏彦, 末光　哲也、重川　直輝、廣木　正伸、横山　春喜、"0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー” (2005年秋季), 応用物理学会学術講演会.

91: 廣木 正伸、横山 春喜、渡邉 則之、 杉山 弘樹、 塩島 謙次, 小林 隆、　" AlGaN/GaN HEMT構造の電気的特性に対するアンモニア中アニールの影響(2)",   (2005年秋季), 応用物理学会学術講演会.

92: 塩島　謙次、牧村　隆司、末光　哲也、重川　直輝, 廣木　正伸, 横山　春喜、"短ゲートAlGaN/GaN HEMTのＤＣ、RF特性と基板結晶性との影響”電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct. 13, 2005.

93: 塩島　謙次   牧村　隆司   小杉　敏彦　末光　哲也　重川　直輝 廣木　正伸  　横山　春喜, ”0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー” 電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Jan. 19, 2006.

94: 塩島　謙次、牧村　隆司、小杉　敏彦, 末光　哲也、重川　直輝、廣木　正伸、横山　春喜, “0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(2)　24GHzパルス変調動作　―”, (2006年春季), 応用物理学関係連合講演会.

95: ＜招待講演＞　塩島　謙次、” GaN電子デバイス開発における物性研究　--結晶評価からプロセス、デバイス物理まで--” , (2006年春季), 応用物理学関係連合講演会.

96: 馬場　公一、中村　成志、須原　理彦、奥村　次徳、塩島　謙次、横山　春喜、“半絶縁ＧａＮエピタキシャル結晶の電流—電圧特性”、(2006年春季), 応用物理学関係連合講演会.

97: ＜招待講演＞ 塩島　謙次、”GaN電子デバイスの開発動向、今後の展開、技術課題”, (2006年春季), 電子情報通信学会総合大会「CS-9　実用化が進むGaNデバイスの現状と展望」（シンポジウム）2006年3月27日.

98：塩島　謙次、”IWN2006報告“、電気学会電子材料・電子デバイス合同研究会、2006年11月28日

99： 塩島　謙次、 独立行政法人日本学術振興会第162，第152委員会合同研究会、“GaN系電子デバイスの動向—IWN2006のトピック—”、2006年12月4日。

100：伊藤　修一、永森　基、斎藤　弘志、塩島　謙次、葛原　正明、山田　修平、柴田　直樹、“短時間熱処理による活性化したMｇ添加GaNの電気的特性”、(2007年春季), 応用物理学関係連合講演会、2007年3月27日.

101：児玉和樹、西田猛利、塩島謙次、葛原正明、“InGaNチャネルをもつダブルへテロ接合FETの高周波特性解析”電子情報通信学会　総合大会 2007年3月22日

102：酒井亮輔、西田猛利、塩島謙次、葛原正明、“多段フィールドプレートAlGaN/GaN-HEMTの最適設計”電子情報通信学会　総合大会 2007年3月22日

103: ［招待講演］塩島謙次、“金属／ｐ−ＧａＮ界面の電流輸送特性と最近の進展”、電子情報通信学会、電子デバイス研究会, 6月16日, 2007年

104：福島　慶広、荻須　啓太, 葛原　正明、塩島　謙次、“Ni/p-GaN接触の電気的特性の評価　--Mgドーピング濃度依存性--” (2007年秋季、9月4日), 応用物理学会学術講演会.

105：児玉和樹、児玉和樹、塩島謙次、葛原正明、"AlInN/InGaNヘテロ接合FETにおける高周波特性の理論検討”電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct 12, 2007.

106：酒井亮輔、児玉和樹、塩島謙次、葛原正明、"多段および傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの理論検討”電子情報通信学会、電子デバイス研究会, Oct 12, 2007.

107: 福島　慶広、荻須　啓太, 葛原　正明、塩島　謙次、“p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性–金属仕事関数依存性--” (2007年11月30日), 電気学会電子材料研究会、福井大学.

108: 福島　慶広、荻須　啓太, 葛原　正明、塩島　謙次、“p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性–金属仕事関数依存性--” 2008年春季応用物理学関係連合講演会(2008年3月28日).

109: 荻須　啓太、福島　慶広、塩島　謙次、横浜 秀雄，荒木 賀行“MOCVD成長による InP/InGaAs HBTの信頼性評価” 2008年春季応用物理学関係連合講演会(2008年3月29日).

110: 酒井 亮輔,　西田 猛利,　岡井 智隆,　塩島 謙次,　葛原 正明,“傾斜フィールドプレートを有するAlGaN/GaN HEMTの耐圧に関する理論解析” 電子情報通信学会　ソサイアティー大会 2008年3月。

111: 児玉 和樹,　西田 猛利,　塩島 謙次,　葛原 正明,　“AlInN/InGaN/AlInN ﾀﾞブルヘテロ接合FETの高周波特性解析”, 電子情報通信学会　ソサイアティー大会 2008年3月。

112:  高桑 陽一, 近岡 大成, 塩島 謙次,　葛原 正明,“AlGaN/GaNヘテロ接合における接触抵抗低減に関する理論検討”, 電子情報通信学会　ソサイアティー大会 2008年3月。

113:　荻須　啓太、福島　慶広、塩島　謙次、横浜 秀雄，荒木 賀行“MOCVD成長による InP/InGaAs HBTの信頼性評価” 2008年電子情報通信学会　電子デバイス研究会(2008年6月13日).

114: 福島　慶広、荻須　啓太, 葛原　正明、塩島　謙次、“p-GaNショットキー接触のI-V,C-V特性–金属仕事関数依存性--” 2008年電子情報通信学会　電子デバイス研究会(2008年6月13日).

115：福島　慶広、荻須　啓太, 葛原　正明、塩島　謙次、“希土類金属/p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性” (2008年秋季、9月2日), 応用物理学会学術講演会.

116：［招待講演］塩島　謙次、“化合物半導体電子デバイス開発における物性研究” 次世代半導体材料デバイス開発のための欠陥エンジニアリングに関する研究会、愛知県産業貿易会館、2008年12月10日.

117：秋山　一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田　豊, 國塩直樹, 塩島　謙次、“n-GaNの深い準位への炭素の影響” (2009年秋季、9月10日), 応用物理学会学術講演会　富山大.

118：寺崎博満，塩島謙次, 森田康平、田中悟，日比野浩樹，橋本明弘、“微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層の転写法” (2009年秋季、9月10日), 応用物理学会学術講演会　富山大.

119：寺崎博満，塩島謙次, 森田康平、田中悟，日比野浩樹，橋本明弘、“微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積転写グラフェン層の顕微ラマン散乱分光測定” (2009年秋季、9月10日), 応用物理学会学術講演会　富山大.

120：森田康平，寺崎博満，塩島謙次, 田中悟，日比野浩樹，橋本明弘、“微傾斜Si面SiCエピタキシャルグラフェンシード層を用いた大面積グラフェン層転写過程のLEEM/AFM観察” (2009年秋季、9月10日), 応用物理学会学術講演会　富山大.

121: ［招待講演］塩島謙次、“GaN系電子デバイスの信頼性に与える欠陥の影響”、（独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会第121回研究会、明治大学 駿河台キャンパス　 2010年 2月23日

122：國塩直樹, 塩島　謙次、秋山　一樹, 山田悠二郎, 柴田龍成, 徳田　豊, “AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに対する炭素ドーピングの影響” (2009年春季、3月19日), 応用物理学関係連合講演会　東海大.

123: 出店克顕、塩島　謙次、“光応答法によるp-GaNショットキー電極の評価”（2010年秋季、9月16日）, 応用物理学会学術講演会　長崎大.

124：塩島　謙次、“GaNの高周波デバイスへの応用”、Electronic Journal 第592回 Technical Seminar「GaNデバイスの最前線★徹底解説」、2010年10月19日、総評会館　東京

125：山田悠二郎, 塩島　謙次、徳田　豊, “炭素ドーピングしたn-GaN中欠陥のDLTS、MCTSによる評価“第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会、P-74、2010年10月21日、つくば市。

126：［招待講演］塩島謙次、“化合物系電子デバイス新技術”、（独）日本学術振興会「半導体界面制御技術」第154委員会研究会、産総研臨海副都心センター別館11階　 2010年 11月25日

127：出店克顕，塩島謙次、“Ni/p-GaN ショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価”、第58 回応用物理学関係連合講演会24p-KS-5、2011年3月24日　神奈川工科大

128：山田悠二郎，横井将大，坂崎真司，石倉正也，塩島謙次，徳田　豊“炭素ドープn-GaN中の深い準位の評価” 、第58 回応用物理学関係連合講演会、24p-KS-3、2011年3月24日神奈川工科大

129：横浜 秀雄，塩島 謙次, 荒木 賀行、“M O C V D 成長I n P / I n G a A s H B T におけるⅤ族およびS i ドーパント材料の影響”、第58 回応用物理学関係連合講演会25a-BQ-1、2011年3月24日　神奈川工科大

130：塩島謙次、出店克顕 “Ni/p-GaN ショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価（２）”、応用物理学会学術講演会31p-A-6、2011年8月31日　山形大学

131：高橋 利文、塩島謙次、出店克顕 “表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性”、応用物理学会学術講演会31p-A-7、2011年8月31日、山形大学

132：山田悠二郎，横井将大，坂崎真司，石倉正也，塩島謙次，徳田　豊“一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価” 、応用物理学会学術講演会31p-A-8、2011年8月31日、山形大学

133：田中浩太郎、下辻康広、橋本明弘、塩島謙次、田中悟　“GaN上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化”、平成２３年度電気関係学会北陸支部連合大会、D-1、2011年9月17日、福井大学

134：山田悠二郎, 長谷川晶一，南部大翔，本田銀熙，徳田　豊,塩島　謙次、“P型GaN中の深い準位の評価“第20回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会、2011年12月8日、名古屋市。

135: 高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島謙次, “p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響”, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 18a-E2 – 5, 2012年3月18日、早稲田大。

136: 出店克顕，横浜秀雄，荒木賀行，塩島謙次, “光応答法によるTi/Alオーミック電極形成初期過程の評価”, 2012年春季 第59回 応用物理学関係連合講演会, 18p-E2 – 1, 2012年3月18日、早稲田大。

137: 高橋 利文   金田 直樹   三島 友義   野本 一貴   塩島 謙次,“p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響”, 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2012-46、2012年7月26日　福井大

138：高橋 利文   金田 直樹   三島 友義   梶原 隆司   田中 悟   塩島 謙次、　“表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の
電気的特性”、, 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2012-47、2012年7月26日　福井大

139：本田銀熙,　塩島 謙次,　徳田 豊,　“MOCVD成長p-GaN電子トラップの評価”、応用物理学会学術講演会11a-PA4-2、2012年9月11日、松山大学

140：青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次、“低Mgドープp-GaNショットキー接触の順方向I-V特性の解析”、　応用物理学会学術講演会11a-PA4-5、2012年9月11日、松山大学

141: 高橋利文, 金田直樹, 三島友義, 野本一貴, 塩島謙次、　”p形GaNショットキー接触におけるICPエッチングの影響(2)--高温ICTSによる評価—“　応用物理学会学術講演会11p-F2-6、2012年9月11日、松山大学

142：青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次、“低Mgドープp-GaNショットキー接触の交流動作”、応用物理学会春期学術講演会28a-G11-9、2013年3月28日、神奈川工科大学

143：塩島謙次、木原雄平、青木俊周, 金田直樹, 三島友義,“GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価”応用物理学会春期学術講演会、28a-G11-6、2013年3月28日、神奈川工科大学

144：（招待講演）塩島謙次、中村成志、“GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-”、応用物理学会春期学術講演会、27a-G4-1、2013年3月27日、神奈川工科大学

145：（招待講演）塩島謙次、“低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価”、応用物理学会春期学術講演会、27p-G4-5、2013年3月27日、神奈川工科大学

146：横浜秀雄，荒木賀行，塩島謙次, “M O C V D 法によるエチル系有機材料を用いた炭素ドープI n G a A s 層の成長” 応用物理学会春期学術講演会、29p-G20-7、2013年3月29日、神奈川工科大学

147：青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次、“AC Operation of Low-Mg-Doped p-GaN Schottky Diodes”、第３２回電子材料シンポジウム、Th1-5、 2013年7月11日ラフォーレ琵琶湖(守山市)

148：徳田豊、田中丈士、塩島謙次、乙木洋平、“高抵抗GaNのトラップ評価”、応用物理学会秋季学術講演会、19a-P7-1、2013年9月19日、同志社大

149：山本晋吾、青木俊周, 金田直樹, 三島友義, 塩島謙次、“界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の2次元評価“、応用物理学会秋季学術講演会、19a-P7-3、2013年9月19日、同志社大

150：青木俊周, Ji-Su Son、天野浩、塩島謙次、“a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価”、応用物理学会秋季学術講演会、19a-P7-4、2013年9月19日、同志社大

151：青木俊周, 吉田智洋, 末光哲也、金田直樹,三島友義, 塩島謙次、“p形GaNショットキー接触における水素プラズマ処理の影響“、応用物理学会秋季学術講演会、20a-D7-7、2013年9月20日、同志社大

152： 木原雄平, 塩島謙次、青木俊周, 金田直樹, 三島友義、“GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価（２）“、応用物理学会秋季学術講演会、20a-D7-8、2013年9月20日、同志社大

153：塩島謙次, 木原雄平, 青木俊周, 金田直樹, 三島友義、　“GaN自立基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触の評価”、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2013-71、2013年11月28日　大阪大

154：塩島謙次,青木俊周, 金田直樹, 三島友義、　“低Mgドープｐ−GaNショットキー接触のAC動作”、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2013-72、2013年11月28日　大阪大

155：塩島　謙次、“GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説”、Electronic Journal 第2029回 Technical Seminar、2013年12月19日、総評会館　東京

156: 青木俊周, 橘佐智, 塩島謙次、“低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の電気的特性の評価”、　応用物理学会春期学術講演会18p-PG3-18、2014年3月18日、青山学院大学

157: 永縄萌, 青木俊周, Ji-Su Son, 天野浩, 塩島謙次, “a面低Mgドープp-GaNショットキー接触の評価(2)”, 　応用物理学会春期学術講演会18p-PG3-19、2014年3月18日、青山学院大学

158: 山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次,“界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の熱劣化過程の2次元評価”, 応用物理学会春期学術講演会19p-D8-7、2014年3月19日、青山学院大学

159: （招待講演）塩島謙次、“GaN表面、界面、結晶欠陥の評価とデバイス特性への影響”、第24回格子欠陥フォーラム「パワーデバイス開発のための格子欠陥評価･制御」、2014年9月11日、かんぽの宿恵那、岐阜県恵那市。

160: 木原雄平, 山本晋吾, 塩島謙次、“界面顕微光応答法によるNi/n-SiCショットキー接触の２次元評価“、応用物理学会秋季学術講演会、18a-A22-2、2014年9月18日、北海道大

161: 山本晋吾, 木原雄平, 塩島謙次, “界面顕微光応答法を用いたn-GaNショットキー接触の２次元評価--表面構造の影響--” 、応用物理学会秋季学術講演会、18a-A22-3、2014年9月18日、北海道大

162: 青木俊周, 塩島謙次,” 低Mgドープp-AlGaN 及びp-InGaNショットキー電極の表面欠陥の評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、19p-BP2-1、2014年9月19日、北海道大

163：塩島謙次, 山本　晋吾, 木原雄平,　“界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の熱劣化機構の2次元評価”、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2014-78、2014年11月28日　大阪大

164：（招待講演）塩島　謙次、“GaNパワー/高周波デバイスの最前線徹底解説”、Electronic Journal 第2615回 Technical Seminar、2014年12月11日、総評会館　東京

165：山本 晋吾、畠山 信也、末光 哲也、塩島 謙次,“界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価”, 応用物理学会春期学術講演会12a-A21-4、2015年3月12日、東海大学

166：村瀬真悟, 山本晋吾,田中丈士, 三島友義, 中村徹、塩島 謙次,“界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-GaNショットキー接触の２次元評価”, 応用物理学会春期学術講演会12a-A21-5、2015年3月12日、東海大学

167：永縄 萌、 青木 俊周、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次,“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価”, 応用物理学会春期学術講演会12a-A21-6、2015年3月12日、東海大学

168：青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志、塩島 謙次,“N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価”, 応用物理学会春期学術講演会12a-A21-8、2015年3月12日、東海大学

169：青木 俊周、谷川 智之、片山 竜二、松岡 隆志、塩島 謙次、“N極性p形GaNショットキー接触の電気的特性の評価”、 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2015-36、2015年7月24日　金沢市。

170：永縄 萌、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次、”n-GaN自立基板の劈開面に形成したショットキーダイオードの評価”、電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2015-37、2015年7月24日　金沢市。

171：（招待講演）塩島謙次、“顕微光応答法による人工視覚用刺激電極の2次元評価の可能性”、生命科学複合研究教育センター／トランスレーショナルリサーチ推進センタ合同研究交流会、2015年8月20日　福井大医学部。

172: 青木 俊周、塩島 謙次、“Ni/低Mgドープp形GaNショットキー接触の電流-電圧特性の温度依存性”, 応用物理学会秋季学術講演会、14p-PB2-14, 2015年9月14日、名古屋市（名古屋国際会議場）。

173: 新郷 正人、伊藤 尊史、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木行康、斎藤 大志、松川 公洋、藤原 康文、塩島 謙次、“Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、14p-PB2-15, 2015年9月14日、名古屋市（名古屋国際会議場）。

174: 村瀬 真悟、太田 博、三島 友義、塩島 謙次,“電圧ストレス印加により劣化したn-GaNショットキー電極の2次元評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、15a-4C-4、2015年9月15日、名古屋市（名古屋国際会議場）。

175: 新郷 正人、塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いたAu/a-IGZOショットキー接触の通電劣化の2次元評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、15a-4C-5、2015年9月15日、名古屋市（名古屋国際会議場）。

176: 新郷 正人、Jianbo Liang、重川 直輝、新井 学、塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるSi/SiCヘテロp-n接合の2次元評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、16p-4C-1、2015年9月16日、名古屋市（名古屋国際会議場）。

177：（招待講演）塩島謙次、“GaN系デバイスにおける結晶欠陥の影響”、金属学会セミナー“半導体における点欠陥と拡散—基礎と先端デバイス−”、2015年11月12日、東京工業大学大岡山キャンパス。

178：（招待講演）塩島謙次、” 顕微光応答法による金属/半導体界面の２次元評価”、 日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会、I−１、2016年1月30日、福井市（福井大学）。

179：永縄萌, 青木俊周, 三島友義, 塩島謙次、”自立n-GaN 基板の劈開面に形成したショットキー電極の評価”、 日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会、P１、2016年1月30日、福井市（福井大学）。

180：村瀬真悟, 太田博, 三島友義, 塩島謙次、”電圧ストレスにより劣化したn-GaN

ショットキー接触の2 次元評価”、 日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会、P2、2016年1月30日、福井市（福井大学）。

181：新郷正人, LiangJianbo, 重川直輝, 塩島謙次、” 界面顕微光応答法によるSi/SiC ヘテロ接合の2 次元評価”、 日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会 第1回講演会・見学会、P6、2016年1月30日、福井市（福井大学）。

182：上田聖悟、後藤雅浩、高林洸太、徳田豊、塩島謙次、伊藤成志、八木 孝秀,” n-GaN に水素イオン注入で誘起されたトラップの評価”, 応用物理学会春季学術講演会, 20p-P9-8,2016年3月20日、東京都（東工大）。

183：永縄 萌、青木 俊周、三島 友義、塩島 謙次、“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (2)－－表面処理の影響－－”、応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-2,2016年3月21日、東京都（東工大）。

184：塩島 謙次、青木 俊周、寺地徳之、小出康夫、“Au/p形ダイアモンドショットキー接触の変位電流--p形GaNショットキー接触との比較--” 、応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-3,2016年3月21日、東京都（東工大）。

185：新郷 正人、伊藤 尊史、柏木 行康、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、斉藤 大志、松川 公洋、藤原 康文、塩島 謙次、“Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の2次元評価(2)”、応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-4,2016年3月21日、東京都（東工大）。

186：今立 宏美、寺野 昭久、塩島 謙次、“ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価”、応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-5,2016年3月21日、東京都（東工大）。

187：塩島謙次 , 田中丈士, 三島友義, 徳田豊,” GaN基板上低キャリア厚膜n-GaNショットキー接触のDLTS評価”, 応用物理学会春季学術講演会, 21a-W541-9,2016年3月21日、東京都（東工大）。

188：新郷 正人、市川 尚澄、加藤 正史、塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価”、応用物理学会春季学術講演会, 21a-H101-11,2016年3月21日、東京都（東工大）。

189：村瀬 真悟、三島 友義、中村 徹、塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価”、応用物理学会春季学術講演会, 21p-P10-5,2016年3月21日、東京都（東工大）。

190：村瀬 真悟、三島 友義、中村 徹、塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いたイオン注入n-SiCショットキー接触の2次元評価”、応用物理学会春季学術講演会, 21p-P10-5,2016年3月21日、東京都（東工大）。

191：今立　宏美、寺野　昭久、塩島　謙次、“ICPエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価”、平成２８年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会、講演番号５，2016年7月30日、大阪府堺市（大阪府立大学）。

192：塩島 謙次、重宗 翼、小泉 淳、児島 貴徳、柏木 行康、斎藤 大志、

松川 公洋、藤原 康文、“Agナノインクの印刷により形成したAg/n-GaNショットキー接触の評価”、エレクトロニクス実装学会秋季大会第26回マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES2016）、2C1-3,2016年9月9日、名古屋市（中京大学）。

193：塩島 謙次、市川 尚澄、加藤 正史、“複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価”、応用物理学会秋季学術講演会、15p-C302-5、2016年9月15日、新潟市（朱鷺メッセ）。

194：今立 宏美、青木 俊周、三島　友義、塩島 謙次、“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (3)－－電流-電圧特性の温度依存性－－” 応用物理学会秋季学術講演会、14a-P6-7、2016年9月14日、新潟市（朱鷺メッセ）。

195: 橋爪孝典, 畑祐介, 加藤正史, 塩島謙次, “界面顕微光応答法によるNi/n-SiCの界面反応の２次元評価”応用物理学会秋季学術講演会、14p-P9-5、2016年9月14日、新潟市（朱鷺メッセ）。

196: 塩島謙次, 橋爪孝典, 堀切文正, 田中丈士, 三島友義, “界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価”応用物理学会秋季学術講演会、15a-B1-10、2016年9月15日、新潟市（朱鷺メッセ）。

197: 青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次, “Ni/N極性p-GaNショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性”応用物理学会秋季学術講演会、14a-P6-8、2016年9月14日、新潟市（朱鷺メッセ）。

198: 青木 俊周、寺地 徳之、小出 康夫、塩島 謙次, “界面顕微光応答法を用いたAu/p形ダイヤモンドショットキー接触の2次元評価”応用物理学会秋季学術講演会、14p-A26-7、2016年9月1４日、新潟市（朱鷺メッセ）。

199: 塩島謙次、村瀬真悟、前田昌嵩、三島友義, “界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価”, 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2016-58、2016年12月12日　京都市(京都大学)。

200: 塩島謙次、永縄萌、三島友義,“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 ～ 表面処理の影響 ～” , 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2016-60、2016年12月12日　京都市(京都大学)。

201:［依頼講演］塩島 謙次、”金属／GaNショットキー接触の評価－黎明期からの振り返り－”、電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2016-101、2017年1月26日　東京都(機械振興会館)。

202: 纐纈 悠貴、塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるNi/n-GaNの界面反応の二次元評価”、 応用物理学会春季学術講演会, 16a-P4-5,2017年3月16日、横浜市（パシフィコ横浜）。

203: 今立 宏美、三島 友義、塩島 謙次、“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価 (4)－－金属仕事関数依存性－－”、 応用物理学会春季学術講演会, 14p-315-5,2017年3月14日、横浜市（パシフィコ横浜）。

204: 村瀬 真悟、渡村 遥、末光 哲也、塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化過程の2次元評価”、 応用物理学会春季学術講演会, 16a-P4-6,2017年3月16日、横浜市（パシフィコ横浜）。

205: 塩島 謙次、三品 直樹、市川 尚澄、加藤 正史、“界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価”、 応用物理学会春季学術講演会, 15p-F204-9,2017年3月15日、横浜市（パシフィコ横浜）。

206: 小西 宏明、今立 宏美、山岡 優哉、松本 功、江川 孝志、塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるSi基板上Ni/AlGaN/GaNショットキー接触の２次元評価” 、 応用物理学会春季学術講演会, 14p-315-4,2017年3月14日、 横浜市（パシフィコ横浜）。

207: 伊豫田 健、高林 洸太、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀、“水素イオン注入n-GaNの熱処理”、 応用物理学会春季学術講演会, 16a-P4-1,2017年3月16日、横浜市（パシフィコ横浜）。

208: ［招待講演］塩島 謙次、“界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価”、応用物理学会結晶工学分科会第147回研究会、2017年6月9日、豊中市（大阪大学）。

209：今立 宏美、神原 仁志、徳田 梨絵、松田 時宜、四戸 孝、塩島 謙次、”界面顕微光応答法によるα-Ga2O3ショットキー接触の界面反応の2次元評価”、応用物理学会秋季学術講演会、 5a-C17-9、福岡市（福岡国際会議場）2017年9月5日。

210: 前田 昌嵩、三島 友義、塩島 謙次、”n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定”、応用物理学会秋季学術講演会、 5p-C17-7、福岡市（福岡国際会議場）2017年9月5日。

211: 林 賢太郎、太田 博、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、藤倉 序章、塩島 謙次、中村 徹、三島 友義、“自立GaN基板上p+-nダイオードのエピ層表面モフォロジーによる不均一な電流密度分布”、応用物理学会秋季学術講演会、5p-C17-16、福岡市（福岡国際会議場）2017年9月5日。

212: 伊豫田 健、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀、”水素イオン注入n-GaNの逆バイアス熱処理効果”、応用物理学会秋季学術講演会、6p-PA8-27、福岡市（福岡国際会議場）2017年9月6日。

213: 庄司 凌、上原 大侑、馬 蓓、森田 健、石谷 善博、塩島 謙次、”p型GaNにおける深い準位を介した発光特性の解析”、応用物理学会秋季学術講演会、 5a-A301-2、福岡市（福岡国際会議場）2017年9月5日。

214: 塩島謙次、橋爪孝典、堀切文正、田中丈士、三島友義、” 界面顕微光応答法によるn-GaN自立基板表面の波形モフォロジーの2次元評価”, 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2017-55、名古屋市(名工大) 2017年11月30日。

215: 塩島 謙次、今立 宏美、三島 友義、“自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価~金属仕事関数依存性”、電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2017-56、名古屋市(名工大) 2017年11月30日。

216: ［招待講演］塩島 謙次、“GaNショットキー接合の黎明期からのふり返り”、日本学術振興会 産学協力研究委員会半導体界面制御技術第154 委員会第107 回研究会、（３）、キャンパス・イノベーションセンター(CIC)東京、2018年1月30日。

217: 柏木行康、斉藤大志、長谷川貴洋、千金正也、塩島謙次、垣内宏之、“ニードル式マイクロディスペンサを用いたナノインク描画と焼結により形成された銀電極の各種基板上での電気的特性の評価”、第24回エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム（Mate2018）、パシフィコ横浜、2018年1月30日。

218: ［招待講演］ 塩島 謙次、“GaN系材料の結晶評価、電極形成技術のふり返り”、応用物理学会春季学術講演会, 17P-E201-3,2018年3月17日、東京都（早稲田大）。

219: 橋爪孝典、佐藤勝、武山真弓、塩島謙次、“界面顕微光応答法によるNi/SiN/n-SiC MIS構造の２次元評価”、応用物理学会春季学術講演会, 18p-P14-8（ポスター）,2018年3月1８日、東京都（早稲田大）。

220: 塩島 謙次、末光 哲也、尾崎 卓哉、寒川 誠二, ”中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価” ,応用物理学会秋季学術講演会、18p-PA6-4, 2018年9月18日,名古屋市（名古屋国際会議場）.

221: 塩島 謙次、佐川 知大、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義,”GaN自立基板上に成長したドリフト層中の欠陥生成におけるオフ角の影響”, 応用物理学会秋季学術講演会、20a-331-5, 2018年9月20日, 名古屋市（名古屋国際会議場）.

222: 前田 昌嵩、塩島 謙次、栗原 香,”界面顕微光応答法によるファセット成長n-GaNショットキー接触の2次元評価”, 応用物理学会秋季学術講演会、20a-331-12, 2018年9月20日, 名古屋市（名古屋国際会議場）.

223: 塩島 謙次, 前田　昌嵩, 三島 友義,“n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定”, 電子情報通信学会電子デバイス研究会、ED2018-36、名古屋市(名工大) 2018年11月29日。

224: 田村 和也、伊豫田 健、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀, “水素イオン注入n-GaNに導入される正孔トラップの評価”, 応用物理学会春季学術講演会,11a-M121-8（口頭講演）, 2019年3月11日、東工大（世田谷区）。

225: 松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次, “界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価”, 応用物理学会春季学術講演会,11p-PB3-5（ポスター講演）, 2019年3月11日、東工大（世田谷区）。

226: 塩島 謙次、谷川 智之、片山 竜二、松岡 隆志、“界面顕微光応答法によるN極性p形GaNショットキー電極の2次元評価”、応用物理学会秋季学術講演会、18p-N302-5、2019年9月18日,札幌市（北大）。

227: 松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次、“界面顕微光応答法による電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 (Ⅱ)--n形とp形の比較—”、応用物理学会秋季学術講演会、18p-N302-6、2019年9月18日, 札幌市（北大）。

228: 伊藤 俊、徳田 豊、塩島 謙次、伊藤 成志、八木 孝秀、“水素イオン注入n-GaNに誘起された正孔トラップの熱処理効果”、応用物理学会秋季学術講演会、19p-PB3-21、2019年9月19日, 札幌市（北大）。

229: 塩島 謙次、松田 稜、加藤 正史、“界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価”、19p-PB4-2、応用物理学会秋季学術講演会、2019年9月19日, 札幌市（北大）。

230: ［招待講演］塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるエッチングしたGaN表面の2次元評価”、20p-E301-7、応用物理学会秋季学術講演会、2019年9月20日, 札幌市（北大）。

231: ［招待講演］塩島 謙次、“界面顕微光応答法による金属／半導体、半導体／半導体界面の2次元評価”, 電子情報通信学会電子部品・材料研究会（CPM）、CPM2019-51,pp. 35-38,福井市(福井大) 2019年11月8日。

232: 松田陵, 堀切文正, 成田好伸, 吉田丈洋, 三島友義, 塩島謙次,“界面顕微光応答法による光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの2次元評価 --n形とp形の比較--”,日本材料学会令和元年度第2回研究会、４，京都大学桂キャンパス、2019年11月16日。

234: ［招待講演］塩島 謙次、“界面顕微光応答法による電極界面の欠陥、
劣化過程の2次元解析”、応用物理学会結晶工学分科会第24回結晶工学セミナー、（１）　2019年12月18日、新宿区　工学院大学。

235：塩島 謙次、Nabilah Fatin、松田 稜、加藤 正史、“界面顕微光応答法によるp-4H-SiCウエハー上ショットキー電極の2次元評価” 応用物理学会春季学術講演会,13a-PA6-11（ポスター講演）, 2020年3月13日、上智大（千代田区）。

236：内田 昌宏、川角 優斗、西村 一巳、塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いた窒化物半導体HEMT上のショットキー電極の2次元評価”、 応用物理学会春季学術講演会,12p-B401-13（口頭講演）, 2020年3月12日、上智大（千代田区）。

237：松田 陵、堀切 文正、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるコンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの2次元評価”、応用物理学会春季学術講演会,12p-B401-8（口頭講演）, 2020年3月12日、上智大（千代田区）。

238: 塩島 謙次、田中 亮、高島 信也、上野 勝典、江戸 雅晴,“界面顕微光応答法による表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の評価”、応用物理学秋季学術講演会,10a-Z04-1（口頭講演）, 2020年9月10日、WEB開催。

239: 内田 昌宏、川角 優斗、西村 一巳、渡邉 則之、塩島 謙次,“界面顕微応答法を用いたInAlN-HEMT構造上のショットキー電極の2次元評価” 、応用物理学会秋季学術講演会,10a-Z04-4（口頭講演）, 2020年9月10日、WEB開催。

240: 松田 陵、堀切 文正、福原 昇、成田 好伸、吉田 丈洋、三島 友義、塩島 謙次，“コンタクトレス光電気化学エッチングしたNi/n-GaNショットキーの評価
--電解液による違い--” 、応用物理学会秋季学術講演会,10a-Z04-6（口頭講演）, 2020年9月10日、WEB開催。

241: 川角 優斗、堀切 文正、福原 昇、塩島 謙次、“界面光顕微応答法によるゲートリセスPECエッチングしたAlGaN/GaN HEMT構造の二次元評価”、応用物理学会秋季学術講演会,10p-Z04-5（口頭講演）, 2020年9月10日、WEB開催。

242: 川角優斗、安井悠人、柏木行康、玉井聡行、塩島謙次、“界面顕微光応答法によるn-GaN上に印刷法で形成したNi，Agショットキー接触の二次元評価”、令和2年度第3回半導体エレクトロニクス部門委員会第2回研究会,2, 2020年11月14日WEB開催。

243: 松田　陵、堀切　文正、成田　好伸、吉田　丈洋、福原　昇、三島　友義、塩島　謙次、“界面顕微光応答法を用いた光電気化学エッチングしたNi/GaNショットキーの２次元評価－n形とp形の比較－”、電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2020-9,pp. 33-36,2020年11月26日WEB開催。

244: 川角優斗、安井悠人、柏木行康、玉井聡行、塩島謙次、“Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価” 、電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2020-19,pp. 37-40,2020年11月26日WEB開催。

245: 平野智也, 朝日重雄, 喜多隆, 塩島謙次, “界面顕微光応答法による2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池の二次元評価”,令和2年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会,講演番号7, 2021年1月23日,WEB開催。

246: 川角優斗，安井悠人，柏木行康，玉井聡行，塩島謙次, “Niナノインクを用いて印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価”, 応用物理学会春季学術講演会, 16a-Z16-4（口頭講演）, 2021年3月16日,WEB開催。

247：川角優斗，堀切文正，福原昇, 三島友義,四戸孝, 塩島謙次、“界面光顕微応答法によるワイドバンドギャップ半導体ショットキー接触の均一性評価”、日本材料学会令和3年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会,講演番号7（口頭講演）, 2021年7月17日,WEB開催。

248: 塩島謙次, 川角優斗，堀切文正，福原昇, 三島友義,四戸孝、“界面光顕微応答法によるSiC、GaN、-Ga2O3ショットキー接触の均一性の評価”、応用物理学会秋季学術講演会,12a-N305-10（口頭講演）, 2021年9月12日、WEB開催。

249: 塩島謙次、田中　亮、高島信也、上野勝典、江戸雅晴、表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価”、電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2021-28,pp.63-66,2021年11月26日WEB開催。

250: 川角 優斗, 堀切 文正, 福原 昇, 三島 友義, 四戸 孝, 塩島 謙次,“界面顕微光応答法によるSiC、GaN、-Ga2O3ショットキー接触の面内均一性評価”, 電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2021-29,pp.67-70,2021年11月26日WEB開催。

251: 今林 弘毅,　塩島 謙次,　田中　亮,　高島信也,　上野勝典,　江戸雅晴, “表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の熱処理による電気的特性の改善”, 先進パワー半導体分科会第8回講演会、 pp. 117-118, IIA-6(ポスター),2021年12月10日WEB開催。

252: 塩島 謙次, 川角 優斗, 堀切 文正, 福原 昇, 三島 友義, 四戸 孝, 今林 弘毅, “界面顕微光応答法を用いたワイドギャップ半導体／金属ショットキー接触界面の面内均一性評価”, 先進パワー半導体分科会第8回講演会、 pp.131-132,IIB-6(ポスター),2021年12月10日WEB開催。

253: ［招待講演］塩島 謙次, “金属／GaNショットキー電極の評価－黎明期からの振り返り－”, 先進パワー半導体分科会第8回個別討論会、 pp.7-14, (オーラル),2022年3月4日WEB開催。

254: 川角 優斗，今林 弘毅，塩島 謙次、“界面顕微光応答法を用いたdoped-AlNのフォーミング現象の二次元評価”、応用物理学会春季学術講演会,23a-E302-4（口頭講演）, 2022年3月23日、ハイブリッド開催。

255: 安井 悠人, 堀切 文正, 成田 好伸, 福原 昇, 三島 友義, 今林 弘毅，塩島 謙次、“電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界の二次元評価”、応用物理学会春季学術講演会,23p-E302-14（口頭講演）, 2022年3月23日、ハイブリッド開催。

256: 塩島 謙次、”半導体素子電極へのグラフェン応用”、 福井大学第1回グラフェン研究会、講演５（口頭講演）, 2022年8月24日、福井大学産学官連携本部3階会議室。

257: 今林 弘毅, 塩島 謙次, 加地 徹、“界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価”、第83回応用物理学会秋季学術講演会、20p-p04-20（ポスター講演）、2022年9月20日、ハイブリッド開催、東北大学 川内キャンパス(仙台市)。

258: 今林 弘毅, 堀切 文正, 成田 好伸, 福原 昇, 三島 友義, 塩島 謙次、“電圧印加界面顕微光応答法によるNi/n-GaNショットキー接触の電極端面構造の二次元評価”、第83回応用物理学会秋季学術講演会、22p-B204-15（口頭講演）、2022年9月22日、ハイブリッド開催、東北大学 川内キャンパス(仙台市)。

259: 今林弘毅, 堀切文正, 成田好伸, 福原　昇, 三島友義, 塩島謙次,“電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界集中の可視化“, 電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2022-33(口頭講演）,2022年11月24日, ハイブリッド開催(名古屋市)。

260: 今林　弘毅、三島　友義、塩島　謙次、“電圧印加界面顕微光応答法による裾を引いたNi/n-GaNショットキー電極の二次元評価”、先進パワー半導体分科会　第9回講演会, IB-17（ポスター講演）、2022/12/20、福岡市。

261: 今林　弘毅、塩島　謙次、加地　徹、“界面顕微光応答法による超高圧アニールn-GaNショットキー接触の二次元評価” 、先進パワー半導体分科会　第9回講演会, IIA-13（ポスター講演）、2022/12/21、福岡市。

262:［招待講演］塩島 謙次, “界面顕微光応答法による電極界面の2次元評価－この7年間の進捗－”,日本材料学会 2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、 講演番号２（口頭講演）,2023年1月21日WEB開催。

263: 今林 弘毅、堀切 文正、成田 好伸、福原 昇、三島 友義、塩島 謙次,”電圧印加界面顕微光応答法による n-GaN ショットキー接触の電界集中の可視化” , 日本材料学会2022年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会第3回研究会、 講演番号6（口頭講演）,2023年1月21日WEB開催。

264: 梅田 皆友，今林 弘殻, 塩島 謙次, 梅西 達哉, 富永 依里子, 行宗 詳規, 石川 史太郎, 上田 修、“低温 MBE 成長 GaAsBi 層の光電評価”、応用物理学会春季学術講演会,ポスター発表、 15p-PA05-6、2023年3月15日ハイブリッド開催、上智大学 四ツ谷キャンパス(東京都千代田区)。

265: 今林 弘毅, 澤崎 仁施, 吉村 遥翔, 伊藤 夏輝, 加藤 正史, 塩島 謙次、“界面顕微光応答法によるAu/Ni/p+-SiCショットキー接触の二次元評価”、応用物理学会春季学術講演会,ポスター発表、16p-PA04-1、2023年3月15日ハイブリッド開催、上智大学 四ツ谷キャンパス(東京都千代田区)。

266:塩島謙次,“金属/GaNショットキー電極評価の変遷“, 電子情報通信学会電子部品・材料研究会（CPM）研究会、CPM2023-21(2023-08), pp. 36-39(口頭講演）,2023年8月1日, ハイブリッド開催(北海道、北見市)。

267: 吉村 遥翔, 今林 弘毅, 堀切 文正, 成田 好伸, 藤倉 序章, 太田　博，三島 友義, 塩島 謙次、“電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaNショットキー接触の二次元評価”、第84回応用物理学会秋季学術講演会、ポスター発表、21a-P06-1-16、2023年9月21日、対面開催、熊本市。

268: 今林 弘毅, 梅田 皆友，塩島 謙次, 梅西 達哉, 富永 依里子,  行宗 詳規, 石川 史太郎, 上田 修、“低温MBE成長GaAsBi層の光電評価”、第42回電子材料シンポジウム、ポスター発表、2023年10月13日、対面開催、橿原市。

269: 吉村　遥翔、今林　弘毅、堀切 文正、成田 好伸、藤倉 序章、太田　博、三島　友義、塩島　謙次、“電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mgドープp-GaN/n-GaN ショットキー接触の二次元評価”、電子情報通信学会電子部品・電子デバイス（ED）研究会、ED2023-18(2023-11)(WEB口頭講演）,pp. 21-24、講演番号5番、2023年11月30日, (浜松市)。

270: 今林 弘毅, 吉村 遥翔, 太田 博, 三島 友義,  塩島 謙次, “電圧印加界面顕微光応答法によるAu/Ni/薄層高濃度Mg ドープp-/n-GaN ショットキー接触の二次元評価”, 先進パワー半導体分科会　第10回講演会,IIB-13, 2023年12月1日、（金沢市）。

271：［招待講演］塩島謙次、“界面顕微光応答法によるGaNショットキー電極界面の2次元評価”、応用物理学会　半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会 第4回研究会、発表番号５、pp. 30-34、2024年1月24日、（明治大学、東京都）。

272: 今林 弘毅、川西 健太郎、太田 博、三島 友義、塩島 謙次、“Ni/n-GaN ショットキー接触のI-V 特性における変位電流の評価”、第71回応用物理学会春季学術講演会、ポスター発表、22p-P04-15、2024年3月22日、東京都市大学 世田谷キャンパス(東京都世田谷区)。

報道

1：ＮＨＫ総合ＴＶ、“ためしてガッテン” 2008年2月6日放映

2：ＴＶ朝日、たけしの本当は怖い家庭の医学、2009年9月1日放映

3：読売新聞福井版、“快眠枕を機械判定” 2010年9月25日

4：FBC（福井放送）、“おじゃまっテレ（健康いちばん）”2010年9月28日放映

5：福井新聞、“安眠枕を科学で追求”2010年、1月17日掲載

6:日刊工業新聞、“レーザーで非破壊測定　電極界面評価　福井大が新手法”2018年5月15日掲載

7:福井新聞、“次世代半導体評価へ新装置　福井大・塩島教授が開発”　2018年7月6日掲載

出版物、記事

1: D.N. Buckley, W. K. Chan, P. C. Chang, K. Shiojima, and P.D. Fox, “State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XL and Narrow Bandgap Optoelectronic Materials and Devices II”, The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA, 2004.

2: 菅野　卓雄監修、"半導体大事典"、株式会社工業調査会、1999年出版、分著。

3: P. C. Chang, D.N. Buckley, S. Ahmed, and K. Shiojima, “State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors XLII and Processes at the Compound-Semiconductor/Solution Interface”, The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA, 2005.

4:奥村次德、佐野芳明監修、“高周波半導体材料・デバイスの新展開”、シーエムシー出版、2006年、第3編第2章６, pp. 210-218“HEMTプロセス技術”。

5: J. Wang, K. Shiojima, J. Kim, H. C. Kuo, M. Overberg, D. Bour, M. Goorsky, T. Hashizume, T. Kikkawa, Y. Sano, E. B. Stokes, “State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors 49 and Nitrides and Wide-Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics 9” The Electrochemical Society, Inc. 65 South Main Street, New Jersey, USA, ISBN: 978-1-56677-653-0, 2008.

6; 木浦成俊編集、塩島謙次他32名分著“化合物半導体大全”、株式会社電子ジャーナル、2009年2月13日、第２編第６章第３節、pp. 76-79,”GaN電子デバイス製造技術”。

7: Osamu Ueda, Osamu Ueda, Kenji Shiojima, and Edwin Piner, “Reliability and materials issues of III-V semiconductor optical and electron devices and materials II”, MRS symposium proceedings vol. 1432, 2012 MRS Spring meeting, ISBN 978-1-60511-409-5, Cambridge university press, Sept 2012.

8; 木浦成俊編集、塩島謙次他32名分著“2013化合物半導体技術大全CD-ROM版”、株式会社電子ジャーナル、2013年1月、第１編第３章第２節GaN高周波デバイスの現状と将来展望p.p. 31-34,、第２編第６章第３節GaN電子デバイス製造技術p.p. 81-84。

9: Oliver Wright 、塩島　謙次、野田　進、河田　聡“応用物理学会の国際化に向けて (前編,後編)” 応用物理　82巻2号 93-99頁，3号ISSN　0369-8009，2013年

10:　塩島謙次　“メイド・イン・ジャパンの騎手たち” 応用物理　82巻10号 821-825頁、ISSN　0369-8009，2013年

11：塩島謙次　“2014 GaNパワー/高周波デバイスの最新動向★徹底解説”66ページ、（株）電子ジャーナル、発行日2014年2月13日

12: Seiichi Miyazaki, Matty R. Caymax, Siegfried Mantl, Masanobu Miyao, Junichi Murota, Toshio Ogino, Tsugunori Okumura, Kenji Shiojima, James C. Sturm, Shinichi Takagi, Akira Toriumi, Kastuyoshi Washio, Ya-Hong Xie, Shigeaki Zaima, “Proceedings of the 8th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructure (ICSI-8) and the 6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI)”, Thin Solid Films, Vol. 557, 30 April 2014

13: Kenji Shiojima, “Probing buried interfaces in Schottky contacts”, Compound semiconductor, Vol 21, Issue 3, Research review, pp. 69-69 (2015) http://www.compoundsemiconductor.net/pdf/magazines/2015/cs_may_2015.pdf. 

14: 伊藤利道　編著、𠮷門進三、尾崎雅則、鷲尾勝由、塩島謙次、斗内政吉　分著、” 電気電子材料”、 239ページ（第5章　化合物半導体　66-77ページ, 第11章　光エレクトロニクス材料，12章　ワイドバンドギャップ半導体材料　46-171ページ）、 オーム社、発行日2016年1月25日、ISBN 978-4-274-21678-7。

15: J. Murota, C. L. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima, P. Chin, “Semiconductor Process Integration 10”, ECS Transactions, 80(4) 2017.
Published by The Electrochemical Society, 65 South Main Street, New Jersey, USA
ISBN 978-1-62332-464-3(CD-ROM), 978-1-62332-473-5(Softcover)

16: 塩島謙次、“半導体研究者が取り組んだ枕研究”応用物理　86巻10号 913-915頁，ISSN 0369-8009，2017年

17: J. Murota, C. Claeys, H. Iwai, M. Tao, S. Deleonibus, A. Mai, K. Shiojima, Y. Cao, “Semiconductor Process Integration 11”, ECS Transactions, 92 (4) 2019. (233 pages)

Published by The Electrochemical Society, 65 South Main Street, New Jersey, USA
ISBN 978-1-62332-582-4 (CD-ROM)

18: Kenji Shiojima, Katsuyoshi Washio, Seiichi Miyazaki, Hiroo Omi, Giuliana Impellizzeri, “Control of Semiconductor Interfaces ”, Materials Science in Semiconductor Processing, 123, 105580 (2021). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105580 (DVD) Available online 23 Nov. 2020.

U.S. 特許

1: F. Hyuga, K. Shiojima, T. Aoki, K. Asai, M. Tokumitsu, K. Nishimura, Y. Yaname, U.S. Patent 5369043, November 29, 1994.

2: F. Hyuga, K. Shiojima, T. Aoki, K. Asai, M. Tokumitsu, K. Nishimura, Y. Yaname, U.S. Patent 5406098, April 11, 1995.

国内特許

1: 特許公開平６−２２４２２４、平成６年（１９９４）８月１２日、ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法、塩島 謙次、日向 文明、西村 一巳、青木 達雄、浅井 和義.

2: 特許公開平６−２３２１８１、平成６年（１９９４）８月１９日、ショットキ接合型電界効果トランジスタの製法、塩島 謙次、日向 文明、西村 一巳、青木 達雄、徳光 雅美、浅井 和義.

3: 特許公開平６−２４４２１２、平成６年（１９９４）９月２日、半導体回路装置およびその製造方法、日向 文明、塩島 謙次、青木 達雄、浅井 和義、徳光 雅美、西村 一巳、山根 康朗.

4: 特許公開平６−２８６７９３、平成６年（１９９４）１０月１１日、自動液体充填方法、平野 真、亀田 武澄、日向 文明、青木 達雄、徳光 雅美、山根 康朗、塩島 謙次、井上 考、新山 肇、西村 一巳、萩原 博.

5: 特許公開平８−６４６１８、平成８年（１９９６）３月８日、化合物半導体電界効果トランジスタを有する化合物半導体集積回路の製法、塩島 謙次、日向 文明、徳光 雅美、西村 一巳.

6: 特許公開平８−６４６１９、平成８年（１９９６）３月８日、化合物半導体電界効果トランジスタを有する化合物半導体集積回路の製法、塩島 謙次、日向 文明、西村 一巳.

7: 特許公開平９−１９８４５８、平成９年（１９９７）７月３１日、アナログ乗算器、塩島 謙次、束原 恒夫、石川 正幸.

8: 特許公開平９−２４６８６５、平成９年（１９９７）９月１９日、電圧制御型直交発振器、塩島 謙次、束原 恒夫、石川 正幸.

9: 特許公開２０００−２５２４３３、平成１２年９月１４日（２０００．９．１４）、ショットキー型消去書き込み可能メモリー、塩島 謙次.

10: 特許公開２００１−３９７９９、平成１３年２月１３日（２００１．２．１３）、ナイトライド系化合物半導体の表面欠陥観察法、塩島 謙次.

11: 特許公開２００１−１６８１１１、平成１３年６月２２日（２００１．６．２２）、ＧａＮ電界効果トランジスタ、塩島 謙次、重川 直輝.

12: 特許公開２００２−３３４９１、平成１４年１月３１日（２００２．１．３１）、特許3736673号 (登録日平17.11.4)、ショットキーダイオードを作製するｎ−ＧａＮウエハの選別法、塩島 謙次、末光 哲也.

13: 特許公開２００２−３６７９２７、平成１４年１２月２０日（２００２．１２．２０）、オーミック電極及びその製造方法、塩島 謙次.

14: 特許公開２００３−３７１１８、平成１５年２月７日（２００３．２．７）、電界効果トランジスタ、重川 直輝、榎木 孝知、塩島 謙次.

15: 特許公開２００３−８６６０６、平成１５年３月２０日（２００３．３．２０）、半導体装置及び電界効果トランジスタ、重川 直輝、塩島 謙次、榎木 孝知.

16: 特許公開２００３−２２４１７１、平成１５年８月８日（２００３．８．８）、特許3783851号 (登録日平18.3.24)、半導体ウエハーの選別方法、塩島 謙次、重川 直輝.

17: 特許公開２００３−２２７７５８、平成１５年８月１５日（２００３．８．１５）、トランジスタ内部温度測定方法、重川 直輝、塩島 謙次、末光 哲也.

18: 特許公開２００４−５５９８３、平成１６年２月１９日（２００４．２．１９）、赤外光源、重川　直輝、塩島　謙次、鈴木　恭一.

19: 特許公開２００４−２７３６５８、平成１６年９月３０日（２００４．９．３０）、ナイトライド系半導体素子の作製法、塩島 謙次、重川 直輝

20: 特許公開２００５−３０２８３７, 平成１７年１０月２７日（２００５．１０．２７）電界効果トランジスタの真性遅延時間導出方法、末光 哲也、塩島 謙次

21: 特許公開２００５−２４３７１１, 平成１７年９月８日（２００５．９．８）半導体変調素子およびその作製方法, 塩島 謙次, 牧村 隆司, 重川 直輝, 小杉 敏彦

22: 特許公開2007-35898、公開日2007年2月8日、特許出願2005-216694、平成17年7月27日、USB送信機、塩島 謙次、牧村 隆司, 重川 直輝、末光 哲也、小杉　敏彦.

23: 特許公開2007-42779、公開日2007年2月15日、 特許出願2005-223941、平成17年8月7日、Ｔ字型ゲート構造ナイトライド系電界効果トランジスタおよびその製造方法、塩島 謙次、牧村 隆司、末光 哲也、重川 直輝.

24：特許公開2005-353057、公開日2005年12月7日、特許出願2007-158143、2007年6月21日、ヘテロ接合型電界効果トランジスタ、横山春樹、渡邊則之、廣木正伸、塩島 謙次、小林隆、末光 哲也

25：特許公開2007-242746、公開日2007年9月20日、特許出願2006-60502、2006年3月7日、デュアルゲートＨＥＭＴ構造半導体変調素子及びその製造方法、塩島 謙次、牧村 隆司、末光 哲也、重川 直輝.

26：特許公開2008-235767、公開日2008年10月2日、　特許出願2007-76401、平成19年3月23日,　半導体素子及びその製造方法、塩島　謙次。

27：特許出願2008-25539、平成20年2月5日,最適枕の判定方法及び判定装置、塩島謙次、山田朱織。

28：特許公開2008-172035、公開日2008年7月24日、ショットキーダイオード、葛原正明、塩島謙次、古川実、藤原暉男。

29: 特許出願2012-283832 ,2012年12月27日, 半導体変調素子, 塩島謙次

30: 特許出願番号2016-145940、出願日2016年7月26日、登録日 2020年8月4日、特許第6744525号、顕微光応答法による結晶成長層の界面評価法、塩島謙次。

31：特許出願番号2018-163640、出願日平成30年8月31日(2018.8.31)、エピタキシャル基板、堀切文正、成田好伸、塩島謙次。

受賞

1：JJAP（Japanese Journal of Applied Physics）編集貢献賞、2008年4月11日。

2：電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ、活動功労賞、2009年3月18日。

3: 平成23年度電気関係学会北陸支部連合大会優秀発表賞、田中浩太郎･下辻康広･橋本明弘･塩島謙次(福井大院工)･田中悟(九州大工)、“ GaN 上への大面積グラフェン転写およびグラフェン挿入による電極の低抵抗化”、2011年9月17日福井大、D.集積回路設計・素子セッション

外部資金

H18−19年度日本学術振興会科学研究費補助金（若手研究（スタートアップ））、代表者塩島謙次、採択、H18年8月29日。

H21−23年度日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、代表者　塩島謙次、採択H21年4月9日。

H24−26年度日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、代表者　塩島　謙次、採択。

H27−29年度日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、代表者　塩島　謙次、採択。

H30−R2年度日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、代表者　塩島　謙次、採択。

2021-2023年度 日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、課題番号21K04135、 代表者　塩島　謙次、採択。

2024-2026年度 日本学術振興会科学研究費補助金（基盤研究（C）（一般））、課題番号24K07558,　代表者　塩島　謙次、採択。

2018，2019年度　新エネルギー・産業技術総合開発機構/戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発／コランダム構造酸化ガリウムα-Ga2O3 を用いた600V 耐圧SBD のプロジェクト

2019，2020年度　文部科学省・新エネルギー・科学技術試験研究委託事業「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体開発（評価基盤領域）」

主な学会運営

GaN電極界面研究会代表、主催、運営、1999年６月より6回開催.

応用物理学会学術講演会(1999年秋季),シンポジウム, 塩島　謙次, 小出　康夫、"GaNへの電極形成技術とそのデバイス応用",　世話人。

2002電子情報通信学会ソサエティー大会シンポジウム、“GaN電子デバイスの最近の展望”、オーガナイザー、2002年9月12日.

Symposium organizer, State-of-the-art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) XXXVII in the 202nd Meeting of Electrochemical Society (ECS) in Salt Lake City, October 20-25, 2002.  

Symposium organizer, State-of-the-art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) XXXVIII in the 203rd Meeting of Electrochemical Society (ECS) in Paris, April 27- May 2, 2003.  

Symposium organizer, State-of-the-art Program on Compound Semiconductors (SOTAPOCS) XXXIX in the 204th Meeting of Electrochemical Society (ECS) in Orlando, October 12-17, 2003.  

第24回下田ワークショップ、実行委員、セッションⅣオーガナイザー、Nov. 26-28, 2003.

応用物理学会学術講演会(2004年秋季),シンポジウム, 塩島　謙次, 奥村　次徳、"先達に学ぶ、GaN電子デバイス課題の克服--GaAsを活かせ！イカスGaNへ--",　世話人。

第25回下田ワークショップ、実行委員、セッションⅣオーガナイザー、Nov. 24-26, 2004.

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006) in Kyoto, 電子デバイス部門チェア。

第26回電子材料シンポジウム(EMS-26)、2007年7月4日、ランプセッション“電子デバイス応用における材料比較”、セッションオーガナイザー、プログラム委員、ラフォーレ琵琶湖。

International Conference Nitride Semiconductors-7 (ICNS-7), Rump session panelist, “Application for GaN? kHz, GHz, THz? 2007/9/16.

第27回電子材料シンポジウム(EMS-27)、2008年7月9日、ランプセッション“非極性窒化物結晶の進展——結晶成長からデバイス応用まで”、セッションオーガナイザー、プログラム委員、ラフォーレ修善寺。

Symposium organizer: Nitride and Wide Bandgap Semiconductors for Sensors, Photonics, and Electronics 9 in the,214th Meeting of Electrochemical Society (ECS) in Hawaii, October 12-17, 2008.  

応用物理学会学術講演会(2011年秋季), 3月2日27ｐ−G4　シンポジウム　GaN系材料表面・界面評価の進展　主催者

4th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium, Organizer of symposium, Oct. 14-19, 2018, Crete, Greece

2018年以降の業績は以下の 主な学会委員 に示します。

主な学会委員

電子情報通信学会電子デバイス専門委員（平成11年5月より17年5月まで）

文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター専門調査員（平成13年２月より）

応用物理学会学術講演会プログラム編集委員、項目12.3半導体Ｂ.プロセス技術・界面制御（平成14年4月より17年3月まで）。

電子情報通信学会平成14年度エレクトロニクスソサイエティ学術奨励賞選定委員

Executive committee, The Electronics Division of Electrochemical Society (ECS) since April 27, 2003.

応用物理学会英文誌(Japanese Journal of Applied Physics (JJAP))編集委員（平成15年4月より）。

電子情報通信学会和文論文誌Ｃ部門編集委員（平成17年5月より20年5月）

電気学会Ｃ部門電子材料技術委員会次世代ハイパワー応用ワイドギャップ半導体材料技術調査専門委員会、委員長（平成18年1月より19年12月）

電気学会Ｃ部門電子材料技術委員会次世代ハイパワー・高周波応用ワイドギャップ半導体材料技術調査専門委員会、委員長（平成20年1月より21年12月）

電子情報通信学会英文論文レター誌編集委員（平成20年5月より22年5月）

電気学会Ｃ部門電子材料技術委員会2号委員（平成18年1月より）

International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2006) in Kyoto, 電子デバイス部門論文委員。

応用物理学会学術講演会プログラム編集委員、項目12.3半導体Ｂ.プロセス技術・界面制御（平成１9年5月より21年3月まで）。

独立行政法人日本学術振興会産学協力研究委員会（半導体界面制御技術第１５４委員会）企画幹事(平成19年7月より),企画副委員長（平成25年4月より）

電子情報通信学会ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員（平成22年5月より25年5月）

SPIE Photonic West 2011, 22-27 January 2011 San Francisco, Program committee

電子情報通信学会北陸支部学生会顧問　2010年5月から2012年5月まで

Symposium organizer, MRS Spring meeting, Symposium G: Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials II, April 9-13, 2012

第26-33回電子材料シンポジウム(EMS-29-33)、2009年7月8日-2015年8月31日、論文委員。

“応用物理”和文機関誌編集委員、2012年4月1日から2014年3月31日。

Vice chair of the International Technical Program Committee, 6th International Symposium on

Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VI), June 5-7,2013, Centennial Hall, Kyushu University School of Medicine

2015 Spring Meeting of the Materials Research Society , Organizer of symposium "CC: Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials III" April 6-9, 2015 San Francisco (USA)

日本材料学会平成27年度第4回半導体エレクトロニクス部門委員会、第1回講演会・見学会、現地世話人、2016年1月30日、福井市（福井大学）

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) Vice chair of the Steering Committee, 2016 June 7-11, Nagoya University

8th International Symposium on  Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII), Organizing committee, Vice chair of International Technical Program committee, Laboratory for Nanoelectronics and Spinelectranics Reserch Institurte of Electrical Communication, Tohoku University 2019 Nov. 27-30.

Material Research Meeting 2019 (MRM2019), D4 Chief Symposium Organizer, Dec. 10-14, 2019, Yokohama, Japan.

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020)、Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Chair, Sept. 27-30, 2020, on line.

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021)、Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Chair, Sept 6-9, 2021, on line.

9th International Symposium on Control of Semicpnductor Interface (ISCSI-IX), Organizing Committee Co-Vice Chair, International Technical Program Committee Chair, 2022, Sept 5-8, Nagoya Univ.

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022)、Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Vice-Chair, Sept 26-28, 2022, Makuhari Chiba-city Hybrid.

13th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

Jan. 23(Mon.) - 24(Tue.), 2023

Laboratory for Nanoelectronics and Spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Sendai, JAPAN

PROGRAM COMMITTEE

2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023)、Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Vice-Chair.Nagoya.

2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024)、Area 3 “Interconnection /3D Integrations/MEMS”,Chair.Sept. 1-4, 2024, Himeji.

客員教授等

平成13年度徳島大学客員教授

平成19年度より30年度金沢工業大学客員教授

平成25年度より27年度福井工業高等専門学校非常勤講師