研究理念

“界面、欠陥がデバイス特性を支配する”

　日本経済、特に半導体業界の構造的不況のため、企業の有名研究機関においても基礎物性をテーマとする研究者の人口が減少しており、技術の空洞化が懸念されています。20年ほど前は、各研究室に“半導体オタク”と呼ばれるような沢山の引き出しをもち、みんなから頼りにされる方がおられました。その頃の学会予稿集を振り返りますと、同じテーマに対して複数の研究室が検討を進め、議論を戦わせていたことが懐かしく思います。

　本研究室では、まだ手がつけられていない最先端の分野の研究を行うだけでなく、実用化が先行してブラックボックスとなっている基礎物性の部分を理解することにも重点を置いています。家庭電化製品に使われている半導体デバイスにおいても、結晶には欠陥が含まれ、物理現象が十分理解されないまま、店頭に並んでいます。大企業では、大きな予算、人員をかけ、早期に研究成果の実用化を達成し、利益に繋げることが基本方針ですが、大学においては、一旦後退し、じっくりと本質を理解して、その展開を示すことも重要な使命だと考えています。本研究室では金属／半導体界面をテーマの中心に据え、電気的特性、結晶性の評価に取り組んでいます。

（2014年2月、HP開設時）

応用物理学会春期学術講演会、27a-G4-1、2013年3月27日、神奈川工科大学、塩島謙次、中村成志、“GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-”より抜粋。

アメフトの写真は“http://zak2006.seesaa.net/category/1475641-1.html”から引用

NEWS　2015年5月

界面顕微光応答法が英国雑誌”Compound Semiconductorに取り上げられました。

“Probing buried interfaces in Schottky contacts”, Compound semiconductor, Vol 21, Issue 3, Research review, pp. 69-69 (2015)

http://www.compoundsemiconductor.net/archive/

NEWS　2017年4月

教授に昇任しました。

福井に来て10年、半導体表面界面研究室として新たなスタートを切ることになりました。今後とも、電極の2次元評価を中心として各種半導体材料の基礎研究に取り組む所存でありますので、ご指導、ご鞭撻をお願い致します。

NEWS　2018年4月

新エネルギー・産業技術総合開発機構/戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発／コランダム構造酸化ガリウムα-Ga2O3 を用いた600V 耐圧SBD のプロジェクトに参加することになりました。

NEWS　2019年4月

文部科学省・新エネルギー・科学技術試験研究委託事業「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体開発（評価基盤領域）」に参加することになりました。

NEWS　2018年

界面顕微光応答法が新聞に取り上げられました。

日刊工業新聞、“レーザーで非破壊測定　電極界面評価　福井大が新手法”2018年5月15日掲載

福井新聞、“次世代半導体評価へ新装置　福井大・塩島教授が開発”　2018年7月6日掲載

NEWS　2021年3月

今林弘毅助教が着任しました。本研究室でも活躍されることを願っております。

NEWS　2022年2月

塩島教授が令和3年度優秀教員(THE TEACHER OF THE YEAR)に選出されました。

NEWS 　2022年10月

今林助教がADMETA plus 2022においてPoster Awardを受賞しました。

“Internal Photoemission Characterization for Low-Temperature-Grown GaAsBi Layers”

NEWS 　2024年6月

キオクシアとの共同研究の成果を発表した論文がFocused Articlesを受賞しました。
K. Shiojima, H. Kawai, Y. Kawasumi, H. Takehira, Y. Wakisaka, H. Imabayashi, T. Iwasaki, K. Komatsu, and T. Daibou, “Local bandgap narrowing in forming state of threshold switching materials”, Applied Physics Letters, vol. 125 Issue 2, p. 023503 (7 pages) (2024).

https://doi.org/10.1063/5.0210996